Курсовая работа: Современная оптоэлектроника
6.3
Токсикологическая характеристика сырья, реагентов, промежуточных и конечных продуктов.
47
6.4
Переработка и обезвреживание твердых отходов.
48
6.5
Переработка и обезвреживание жидких отходов.
48
6.6
Укрупненная оценка экономического ущерба от загрязнения атмосферы .
48
6.7
Укрупненная оценка ущерба от загрязнения водоемов.
50
6.8
Выводы.
51
7
Cписок литературы.
52
1 Введение.
Современная оптоэлектроника решает задачи, связанные с исследованием процессов обработки, передачи, хранения, воспроизведения информации и конструированием соответствующих функциональных систем. К числу важнейших элементов таких систем относятся оптические модуляторы, дефлекторы, дисплеи, элементы долговременной и оперативной памяти и др.
В оптических информационных системах перечисленные процессы реализуются путём взаимодействия световых пучков со средой. Это взаимодействие осуществляется с помощью соответствующих материалов, обладающих свойствами которые могут изменятся под воздействием света, механического воздействия, а так же под действием электрического и магнитного полей.
В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется на основе монокристаллических элементов с определённой совокупностью физических свойств. Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа (mBi2 O3 ×nMex Oy ) вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, обладают электрооптическими и магнитооптическими свойствами, что в сочетании с фотопроводимостью выдвигает их в число перспективных материалов для создания электро- и магнитооптических модуляторов лазерного излучения, запоминающих устройств типа ПРОМ и т.д.
Наибольшую известность среди соединений этого класса приобрели силикаты и германаты висмута для которых разработана технология выращивания крупных монокристаллов и достаточно полно изучены физико-химические свойства и структура.
В последнее время вопросы создания оптоэлектронных элементов методами интегральной технологии становятся всё более насущными. В связи с вышеуказанными преимуществами силленитов в последние годы проводилось много исследований плёнок со структурой силленита, в которых отмечалась перспективность их использования в оптоэлектронике и пьезотехнике.
В связи с заметным влиянием природы структурообразующего иона на свойства позволяющем расширить области применения, а точнее замена р-элементов (Ge, [ ] ns2 np2 ) в Bi12 ЭO20 ионами переходных металлов, имеющих неспаренные 3dn - электроны приобретаются новые свойства (изменения окраски, расширение области пропускания в длинноволновой части спектра)
Данная работа посвящена выращиванию плёнок силленитов (в частности Bi12 GeO20 легированного Cr2 O3 ) на подложках Bi12 GeO20 и изучению некоторых их свойств.