Курсовая работа: Связные радиопередающие устройства с частотной модуляцией

f_нг = 40 МГц; f_вг = 45 МГц

Мощность, которую должен развивать ГУН в нагрузке примем равной 10 мВт.

На рис.10 представлена принципиальная схема ГУНа, расчет которой приведен ниже.

Рис.10 Схема ГУН с частотным модулятором

Для упрощения расчета автогенератора выберем безынерционный транзистор для частоты автоколебаний, например, КТ306А.

1. Параметры идеализированных статических характеристик:

сопротивление насыщения транзистора на высокой частоте r_нас » 35 Ом;

коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ на низкой частоте (f →0) β_о = 50; сопротивление базы r_б = 15 Ом;

2. Высокочастотные характеристики:

граничная частота усиления по току в схеме с ОЭ f _т =600 МГц;

емкость коллекторного перехода С_к = 4 пФ;

емкость эмиттерного перехода С_э = 5 пФ;

3. Допустимые параметры:

предельное напряжение на коллекторе U_{кэ доп} = 10 В;

обратное напряжение на эмиттерном переходе U_{бэ доп} = 3 В;

постоянная составляющая коллекторного тока I_{ко. доп} = 30 мА;

максимально допустимое значение коллекторного тока I_{к. макс. доп} = 50 мА;

4. Тепловые параметры:

максимально допустимая температура переходов транзистора t_{п. доп} = 150 ºС;

тепловое сопротивление переход - корпус R_пк = 100 ºС/Вт;

5. Энергетические параметры

P_вых = 0,4 Вт; Е_к = 40 В; h = 40%; К_р = 4,5.

Проверим, можно ли пренебречь инерционностью этого транзистора в данных условиях. Для этого необходимо выполнение условия:

,

где f - частота генерируемых колебаний, f_S - граничная частота транзистора по крутизне.

Граничная частота транзистора по крутизне определяется выражением:

где распределённое сопротивление базы r_Б берется из справочника, а крутизна статической проходной характеристики S₀ :