Курсовая работа: Универсальный генератор

считаем fнч = 0.

fпред ( > 5×fвч ) = 400 кГц , fгран = h21Э× fпред = 50×400кГц = 20 Мгц

Определимся с режимами работы транзисторов. Для транзисторов VT1 и VT2 лучше использовать режимы работы класса АВ. Это немного снизит энергетические показатели работы транзисторов, но зато приведет к значительному уменьшению нелинейных искажений на выходе. Для остальных транзисторов выберем режим А.

2. Расчёт параметров транзисторов эмиттерного повторителя (VT 1 и

VT 2).

Потребляемая мощность Pïîًٍ = Im×п; мощность, потребляемая нагрузкой н= Im×m; 2×m pасс.= Pпотр- Pн; P'm pаб= 0, следовательно Eп= 2Um, Pm pасс =.

زàê êàê Rي = 5 خى, à Pي= 15 آٍ, ٍî àىïëèٍَنيûه çيà÷هيèے ٌèميàëà يà يàمًَçêه:

Um ي=آ, Im ي = Um ي/Rي= 9/5 = 1,8 ہ,

а необходимое напряжение питания:

Eï= Uê‎+ Um ي= 2 + 9 = 11 آ.

زًهلَهىûé êî‎ôôèِèهيٍ ٌَèëهيèے تU== 9/2 = 4,5 ,

а мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора:

ذm pàٌٌ »0,1×= 0,1×112/5 = 2,42 Вт.

Исходя из полученных данных, выбираем транзисторы, так чтобы

PKmax > Pm расс = 2,42 Вт, IKmax > Im н= 1,8 А, UКЭ0max > 2×Eп = 22 В,

а fгр/h21Э > 5×fвч = 400 кГц :

VT1	VT2
марка транзистора	КТ850Б	КТ851Б
тип транзистора	p-n-p	n-p-n
IKmax – постоянный ток коллектора, А	2	2
UK Э0max – постоянное напряжение кол.-эм. (I б =0), В	45	45
PKmax – постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт	2,5	2,5
статич. коэф-т передачи тока в схеме с ОЭ h 21 , минимальное значение	65	65
f гр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	20	20

Найдем ток баз транзисторов (максимальный входной ток) и входное напряжение каждого транзистора оконечного каскада:

IБ max = IKmax/h21Э = Im н/ h21Э = 1,8/65 = 0,028А, UБ max»Um н = 9 В,

входное сопротивление оконечного каскада:

RвхОК = (h21Э + 1)×Rн = 66×5 = 330 Ом.

3. Расчёт транзистора усилителя с ОЭ (VT3).

Транзистор VT3 работает в режиме А (однотактный).

Так как RвыхГСТ2 >> RвхОК , то

= 28 ىہ (Im أرز2= 0). زîمنà

пусть = 30 мА – постоянная соста-

вляющая тока коллектора VT3.

Очевидно, что от выбора IК0 зависит мощность, рассеиваемая на транзисторе VT3. Поэтому для того чтобы поставить маломощный транзистор, желательно IК0 снизить.

Считая UKЭ0 »Eп = 11 В, находим Pm расс = IK0×UKЭ0 = 0,03×11 =0,33Вт,

исходя из полученных данных, выбираем транзисторы, так чтобы