Курсовая работа: Усилитель воспроизведения электропроигрывателя
Выберем R3=510 Ом
Тогда
Возьмём R4=270 Ом.
Заключение
В результате выполнения курсовой работы было выполнено проектирование усилителя воспроизведения электропроигрывателя.
Была разработана принципиальная электрическая схема усилителя воспроизведения электропроигрывателя, удовлетворяющая всем заданным параметрам. Проводился расчёт каскадов усиления, регуляторов громкости и тембра, усилителя мощности.
Применение микросхем в усилителе-корректоре, регуляторе тембра и в каскаде предварительного усиления дало возможность уменьшить число элементов схемы. Введение ООС позволило уменьшить нелинейные искажения до величины, предъявленной в задании к данному курсовому проекту.
Наличие дифференциального каскада на входе ОУ обеспечило высокую помехозащищённость за счёт подавления синфазного сигнала. Построение усилительного устройства проводилось согласно техническому заданию на современной элементной базе с применением современных операционных усилителей, комплементарных транзисторов позволило получить достаточно простой и качественный усилитель.
Список использованной литературы
1. Аналоговые электронные устройства: Методические указания к курсовой работе / Рязан. радиотехн. ин-т; Сост. Д. И. Попов, Рязань, 1992. 32 с.
2. Регулировка усиления: Методические указания к курсовому проекту / Рязан. радиотехн. ин-т; Сост. В. С. Осокин, Рязань, 1990. 28 с.
3. Регулировка тембра: Методические указания к курсовому проекту / Рязан. гос. радиотехн. акад. ; Сост. В. С. Осокин, Рязань, 1993.
4. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Брежнева, Е. И. Гантман и др.; Под ред. Б. Л. Перельмана. М.: Радио и связь, 1981. 656 с.
5. Войшвилло Г. В. Усилительные устройства. М. : Радио и связь, 1983. 264 с.
6. Справочник. Резисторы. В. В. Дубровский, Д. М. Иванов и др.-М.: Радио и связь, 1991.
7. Справочник по электрическим конденсаторам. М. Н. Дьяконов, В. И. Карабанов и др.-М.: Радио и связь,1983.
Приложение
Зона | Поз.обозначение | Наименование | Кол | Примечание | |
Микросхемы | |||||
DA1, DA2 | K157УД2 | 2 | |||
DA3 | К1408УД1 | 1 | |||
Транзисторы | |||||
VT1 | КТ 818 Б | 1 | |||
VT2 | КТ 819 Б | 1 | |||
VT3 | КТ 815 А | 1 | |||
VT4 | КТ 814А | 1 | |||
Диоды | |||||
Д1, Д2 | Д9Е | 2 | |||
Д3, Д4 | КС515А | 2 | |||
Конденсаторы | 1 | ||||
С2 | К10-7В-М47-82 пФ10% | 1 | |||
С5 | К52-1-10 мкФ10% | 1 | |||
С6 | К10-17(а)-М750-3000 пФ10% | 1 | |||
С7 | К10-17(а)-М1500-0,011 мкФ10% | 1 | |||
С8 | К10-17(а)-Н50-0,1 мкФ10% | 1 | |||
С9,С10,С11 | К10-7В-М47-27 пФ10% | 3 | |||
С12 | К22-5-Н10-0,051 мкФ10% | 1 | |||
С13 | К10-7В-М750-750 пФ10% | 1 | |||
С14,С15 | К10-17(а)-Н50-0,36 мкФ10% | 2 | |||
Резисторы | |||||
R1 | С1-4-0,125-200 кОм5% | 1 | |||
R3 | С1-4-0,125-510 Ом5% | 1 | |||
R4 | С1-4-0,125-270 Ом5% | 1 | |||
R5 | С1-4-0,125-22кОм5% | 1 | |||
R6 | С1-4-0,125-300 кОм5% | 1 | |||
R7 | С1-4-0,125-39 кОм5% | 1 | |||
R8=R18 | С1-4-0,125-3,6 кОм5% | 2 | |||
R9 | СП3-23и-0,125-100 кОм5% | 1 | |||
R10=R12=R15=R17 | С1-4-0,125-11 кОм5% | 4 | |||
R11=R16 | СП3-23и-0,125-43 кОм5% | 2 | |||
R13=R14=R24 | С1-4-0,125-100 кОм5% | 3 | |||
R19 | С1-4-0,125-3 кОм5% | 1 | |||
R20=R21 | МЛТ-2,0-68 Ом5% | 2 | |||
R22=R23 | С1-4-0,125-2 кОм5% | 2 | |||
R25 | С1-4-0,125-47 кОм5% | 1 | |||
R27 | С1-4-0,125-130 кОм5% | 1 | |||
R28 | СП3-23и-0,125-10 кОм5% | 1 | |||
R29=R30 | С1-4-0,125-620 Ом5% | 2 |