Курсовая работа: Устройства генерирования и формирования сигналов

Сопротивление материала базы r_б = 3 Ом;

Постоянная времени коллекторного перехода: τ_K = 15 пс;

Сопротивление эмиттера: r_э ≈ 0,0 Ом;

Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ: β_о = 24;

Граничная частота усиления по току в схеме с ОЭ: f _т = 350 МГц;

Барьерная емкость коллекторного перехода: С_к = 12 пФ;

Барьерная емкость эмиттерного перехода: С_э = 124 пФ;

Индуктивность эмиттерного вывода: Lэ = 4 нГн;

Индуктивность базового вывода: Lб = 4 нГн;

Индуктивность коллекторного вывода: Lк = 4 нГн;

Максимальная выходная мощность: Р_max = 5 Вт;

Предельно допустимая постоянная величина коллекторный ток: I_{k 0. max} =0.8 А;

Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер: U_{кэ. max} = 40 В;

Предельно допустимое напряжение база-эмиттер: U_{бэ. max} = 4 В;

Напряжение отсечки: Е^’ = 0,7 В;

Схема включения: ОЭ.

Расчет коллекторной цепи выходного каскада

Расчет коллекторной цепи проводится по методике, изложенной в [2], для транзистора, работающего в критическом режиме с углом отсечки – Q= 85°.

Исходные данные для расчета следующие:

Р₁ =2,5 Вт – колебательная мощность транзистора,

В – напряжение питания коллектора,

r_{нас ВЧ} = 1,73 Ом – сопротивление насыщения транзистора,

I_{к0. max} = 0,8 А – допустимая постоянная составляющая коллекторного тока;

Коэффициенты, зависящие от угла отсечки были рассчитаны по следующим формулам: