Лабораторная работа: Исследование биполярного транзистора 2
9,29
10,07
Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения
2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провели измерения тока базы iБ , напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.
б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»
Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.
г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».
Рисунок 4. – Показания осциллографа
Таблица 2. – Результаты экспериментов
|
Eб |
1,66 |
2,68 |
3,68 |
4,68 |
5,7 |
|
Iб |
9,245 |
19,23 |
29,11 |
39,02 |
49,15 |
|
Uбэ |
735,5 |
757,1 |
К-во Просмотров: 219
Бесплатно скачать Лабораторная работа: Исследование биполярного транзистора 2
|