Лабораторная работа: Исследование сегнетоэлектриков
б) масштаб по вертикальной оси электронно-лучевой трубки осциллографа:
,
где 
-заряд, соответствующий амплитудному значению напряжения на обкладках образцового конденсатора 
;
-напряжение на образцовом конденсаторе,
;
- ёмкость градуировочного конденсатора
- отклонение от вертикальной оси.
в) диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика:
,
где 
- ёмкость конденсатора из сегнетоэлектрика, [Ф]
,
- толщина образца
- площадь обкладок
г) тангенс угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрика:
Диэлектрические потери в общем случае выражаются уравнением
.
Отсюда
Мощность потерь вычисляется по формуле
,
где 
- площадь петли гистерезиса, 
;
;
Результаты вычислений записать в табл.1 и 2
Таблица 1
| , |  , | , | , |  , |  , |  , |  , |
| 18 | 30 | 60 | 2 | 0,1 | 2,857 | 4,71 | 0,269 | 0,634 |
Таблица 2
 , | , |  , |  |  |  | , | , |  |
| 18 | 30 | 84,85 | 8,081 | 0,095 | 13702 | 840 | 60 | 4,959 |
При помощи ЛАТРа и вольтметра изменять напряжение на сегнетоэлектрике от 150 В до 30 В с интервалом 20 В, отсчитывая ординаты вершин кривой.
Таблица 3
|
|
К-во Просмотров: 373
Бесплатно скачать Лабораторная работа: Исследование сегнетоэлектриков
|