Лабораторная работа: Изучение электрических свойств p-n перехода

Величина контактной разности потенциалов на переходе будет равна

где e- заряд электрона.

Рис 3. Запирающее включение внешнего поля.

Высота потенциального барьера p-n перехода определяется отношением концентраций однотипных носителей на границах перехода и тем выше, чем сильнее легированы полупроводники. Ее максимальное значение определяется шириной запрещенной зоны полупроводникив

(4)

Если приложить к полупроводнику внешнее поле, направление которого совпадает с полем контактного слоя, основные носители тока уходят от границы p-n перехода. В результате запирающий слой расширяется и его сопротивление возрастает. Ток в полупроводике создается за счет неосновных носителей и практически отсутствуют Такое включение называется обратным или запирающим(Рис.3).

Если внешнее поле направлено в противоположную сторону, то оно вызывает движение носителей навстречу друг другу к границе прехеода. В этой области они рекомендуют, ширина контактного слоя и его сопротивление уменьшается. В цепи возникает прямой ток, созданный основными носителями.

Рис.4. прямое включение p-n перехода

Ширина p-n перехода при приложенном внешнем поле описывается выражением

, (5)

где V>0 соответствует прямому включению, а V<0 – обратному. Отсюда следует, что при прямом включении ширина перехода уменьшается, а при обратном – увеличивается.

Таким образом, p-nпереход обладает односторонней проводимостью. В прямом включении сила тока быстро возрастает с ростом напряжения носителями и резко возрастает при электрическом пробое.

На Рис.6 представлена вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n- перехода.

Рис6 Вольтамперная характеристика p-n перехода

Когда к n-облети присоединяют положительный полюс источника, p-n переход пропускают только малый ток неосновных носителей. Лишь при очень большом напряжении сила тока резко возрастает, что обусловлено электрическим пробоем перехода(обратное направление, левая ветвь ВАХ).

При включении в цепь переменного тока p-n переходы действуют как выпрямители.

Устройство в цепь пременного тока p-n переход, называется полупроводниковым(кристаллическим) диодом. Условное обозначение полупроводникового диода(рис 7).

Рис7 Условное обозначение полупроводникового диода

Простейшие схемы выпрямления переменного тока показаны на рис8. Им соответсвует графики зависимости (силы тока через нагрузку R от времени) на рис9.

Рис8. Схемы простейших выпрямителей на полупроводниковых диодах

Вследствии односторонней проводимости полупроводникового диода ток в нагрузочном сопротивлении R(Рис8 а) протекает только в те полупериоды, когда p-n переход работает в пропускном направлении.

Для уменьшения пульсации в схему на рис8б включен сглаживающтй фильтр, представляющий собой конденсатор емкостью С, включен параллельно нагрузке R.

От приложенного напряжения зависит не только проводимостью но и электрическая емкость p-n перехода.