Лабораторная работа: Изучение электрических свойств p-n перехода

Для резкого несимметричного перехода при N_A >>N_D

На рис 10 приведена зависимость от напряжения (вольтфарадная характеристика) для резкого p-n перехода. При V>0 емкость резко возрастает, однако в этом случае расчеты барьерной емкости, проведенные для объединенного перехода, не совсем адекватны.

Рис 10 Вольтфарадная характеристика p-n перехода.

Рис11 Определение концентрации примесей по вольтфарадной характеристике.

По характеру зависимости C=f(V) на основе выражения10 можно судить также о распределении примесей на p-n переходе.

(11)

Ход работы

Схема КД 521.

Значения напряжения и тока для прямого режима.

N	U, B	A,mkA
1	0.35	0.001	1.641	2.692
2	0,40	0.014	1.628	1.276
3	0.45	0.047	1.595	2.544
4	0.50	0.151	1.491	2.223
5	0.55	0.412	1.230	1.512
6	0.60	1.370	0.272	0.074
7	0.65	2.870	1.228	1.507
8	0.70	8.260	6.610	43.790
	1.642	6.952

По полученным данным построили вольтамперную характеристику диода, используя программу EXCEL из MicrosoftOffice.

Построим линию тренда для прямой ветви ВАХ и получим уравнение этой линии для всех типов диодов.

; =0.124

Схема КД 226.

N	U, B	A,mkA
1	0.35	0.023	2.051	4.210
2	0,40	0.090	1.984	2.936
3	0.45	0.306	1.768	3.125
4	0.50	1.060	1.014	1.028
5	0.55	2.820	0.745	0.555
6	0.60	8.150	6.075	36.905
	2.075	8.126

Линия тренда.

; =0.271.

=12.56;

Схема ПД.

N	U, B	A,mkA
1	0.20	0.392	1.202	1.444
2	0,25	0.791	0.803	0.645
3	0.30	1.400	0.194	0.037
4	0.35	2.330	0.736	0.541
5	0.40	3.660	2.066	4.268
6	0.45	6.250	4.656	21.678
7	0.50	9.740	8.145	66.341
	1.594	13.472