Реферат: Акустические свойства полупроводников
V = μE
Чтобы в этом случае найти изменение электронной концентрации под влиянием переменного поля звуковой волны, удобно перейти к движущейся системе координат, скорость которой по отношению к кристаллической решетке равна V. В этой системе можно пользоваться выражениями для распределения электронной концентрации, полученными в отсутствие постоянного электрического поля. Нужно только учесть, что в силу эффекта Доплера частота звука в движущейся системе координат изменяется и оказывается равной ω — qV, где q — волновой вектор звука. В итоге в выражении (5) для отношения Г/q следует произвести замену ω → ω - qV. Это дает:
Г/q = χω(ω – qV)τ/ω0((1 + q2R2) + (ω – qV2)τ2)
В простейшем случае, когда направление распространения звука параллельно дрейфовой скорости, коэффициент поглощения обращается в нуль при V = ω, т. е. когда дрейфовая скорость электронов становится равна скорости звука. При V > ω коэффициент поглощения меняет знак. При Г<0 плотность потока звуковой энергии изменяется по закону:
S(x)=S(0)exp (-Гх) = S(0) ехр (│Г│х).
т. е. поглощение звука сменяется его усилением.
Зависимость коэффициента поглощения от постоянного электрического поля (точнее, от дрейфовой скорости электронов) приведена на рис. 4. Видно, что кривая зависимости Г(V) антисимметрична относительно линии V = ω. Отметим еще одно важное обстоятельство: если при распространении в прямом направлении (направлении дрейфа) звук усиливается, то при распространении в обратном направлении он обязательно затухает. Однако коэффициент поглощения при этом может быть меньше коэффициента усиления при прямом прохождении.
При неизменной дрейфовой скорости V коэффициент усиления как функция частоты достигает максимума при ω = ωm как и в случае поглощения звука. Абсолютный максимум коэффициента усиления по отношению к изменению и частоты и дрейфовой скорости при заданной концентрации равен опять-таки Гmo — максимальному значению коэффициента поглощения.
В чем физическая основа усиления звука? Для того чтобы ответить на этот вопрос, посмотрим на поглощение звука с несколько иной точки зрения. Можно сказать, что поглощение звука определяется фазовым сдвигом между деформацией решетки ди/дх и пьезоэлектрическим полем Е. В пьезодиэлектрике фазовый сдвиг отсутствует, и пьезоэлектрический эффект не приводит к поглощению звука - он лишь изменяет эффективную жесткость решетки (скорость звука). В пьезополупроводнике пьезоэлектрическое поле отстает по фазе от деформации решетки. Соответствующий сдвиг фаз пропорционален ют; этой же величине пропорционален коэффициент поглощения. При включении электрического поля возмущения концентрации электронов, созданные звуковой волной, дрейфуют со скоростью V. Это приводит к уменьшению сдвига фаз и, следовательно, к уменьшению поглощения. В более сильных электрических полях пьезоэлектрическое поле опережает по фазе деформацию решетки. При этом происходит передача энергии электрического поля звуковой волне — ее интенсивность нарастает. Именно эти процессы математически описываются формулой (6).
До сих пор мы в наших рассуждениях не учитывали поглощения звука кристаллической решеткой. Чтобы его учесть, нужно к выражению для коэффициента электронного поглощения звука добавить коэффициент решеточного поглощения. В результате значение коэффициента поглощения оказывается больше, а коэффициента усиления — меньше, .чем в отсутствие решеточных эффектов. Полный коэффициент усиления обращается в нуль не при каком-нибудь одном, а при двух значениях дрейфовой скорости — Vl и Vll на рис. 4.
Оценим коэффициент усиления в каком-нибудь типичном случае. Обратимся с этой целью к примеру, рассмотренному на стр. 16. При (Vω)/ω)== 0,l мы получаем, что Г~5 см-1. Если увеличить дрейфовую скорость и рассмотреть случай {Vω)/ω = 1, то Г~30 см-1. Это значит, что интенсивность звука возрастает в е раз на расстоянии в 1/30~0,03 см. При дальнейшем возрастании дрейфовой скорости коэффициент усиления начинает убывать.
Приведем в качестве примера экспериментальные зависимости коэффициента поглощения (усиления) от электрическою поля, наблюдавшиеся в кристалле CdS (рис. 5). Как уже говорилось, CdS—фотопроводник. Начало отсчета затухания на рис. 5 соответствует затуханию в неосвещенном образце. При изменении уровня освещенности изменяется проводимость кристалла, а следовательно, и т. Так получены кривые В и С, соответствующие частоте 45 МГц и значениям (от 4,2 и 4,8 соответственно. Кривая А получена на частоте 15 МГц; <от=0,83. Из рисунка видно, что при значении электрического поля ~750 В/см коэффициент поглощения изменяет знак—поглощение сменяется усилением.
Обратим внимание на то, что теория дает очень большие значения коэффициента усиления. Усиление звука в пьезополупроводниках наблюдалось в целом ряде экспериментальных работ. В некоторых случаях существующая теория удовлетворительно описывала данные опыта. Иногда, однако, усиление, наблюдавшееся экспериментально, оказывалось гораздо меньше теоретического. Такое расхождение, возможно, связано с решеточным поглощением звука и некоторыми другими явлениями (которые не учтены в этом простейшем варианте теории).
А может быть, дело здесь в следующем. В простейшей теории, описанной выше, предполагается, что изменение концентрации электронов и электрического поля пропорционально деформации решетки в звуковой волне (линейная теория). При больших амплитудах звуковой волны линейный закон становится неприменимым — в таком случае говорят, что имеют место нелинейные эффекты. В процессе усиления звука его интенсивность может возрасти на много порядков, поэтому такие эффекты могут быть важны. О нелинейных эффектах речь пойдет ниже, и мы увидим, что они могут существенно изменить картину усиления звука.
При приложении к пьезополупроводнику электрического поля изменяется не только поглощение. Изменяя сдвиг фаз между волнами деформации и пьезоэлектрического поля, внешнее электрическое поле изменяет л скорость звука.
Отметим, что скорость звука зависит не только от величины, но и от направления электрического поля по отношению к направлению распространения звука. Соответственно скорости волн, распространяющихся вдоль и навстречу полю, различны. Это обстоятельство полезно иметь в виду; мы вспомним о нем в следующем разделе.
3. Нелинейные эффекты при усилении звука
Теория поглощения и усиления звука, о которой мы рассказали, применима лишь в случае достаточно малых амплитуд, так как она представляет собой линейную теорию. Основные результаты линейной теории, как мы видели, таковы:
1) если на поверхности кристалла создать периодическое упругое смещение, гармонически меняющееся со временем с частотой (о, то в кристалле будет распространяться звуковая волна, упругое смещение в которой будет изменяться по тому же закону;
2) интенсивность звука убывают (или нарастает в пространстве по экспоненциальному закону;
3) скорость звука есть постоянная величина, не зависящая от его амплитуды.
В процессе усиления звука его интенсивность может возрасти на много порядков, так что начинают играть роль нелинейные явления. При этом возникает целый ряд новых эффектов. Происходит генерация второй и более высоких гармоник (а в ряде случаев и субгармоник, частоты которых суть доли частоты м). Интенсивность звука нарастает не экспоненциально, а по более сложному закону. Иными словами, коэффициент усиления начинает зависеть от интенсивности звука.
Наконец, при распространении интенсивного звука в кристалле возникает заметный звукоэлектрический ток. Звукоэлектрический эффект является простейшим нелинейным эффектом и уже давно исследуется теоретически и экспериментально. Мы обсудим этот эффект в специальном разделе.
Нужно сказать, что нелинейные эффекты могут наблюдаться не только при усилении звука. В настоящее время умеют генерировать звук такой интенсивности, .что нелинейные явления могут быть заметны уже в режиме поглощения. При усилении, однако, они проявляются более ярко. Кроме того, учет их при усилении имеет принципиальный характер, так как именно они должны рано или поздно ограничить усиление. Поэтому в данном разделе мы будем обсуждать случай усиления звука.
Если линейная теория усиления звука, которую мы рассматривали выше, сравнительно проста, то нелинейная теория гораздо сложнее. Поэтому здесь мы лишь качественно укажем, какие физические процессы ответственны за нелинейные взаимодействия, и приведем основные результаты нелинейной теории. Следует отметить, что нелинейная теория усиления звука еще далека от своего завершения; существует ряд наблюдавшихся на опыте явлений, которые пока не нашли объяснения. С другой стороны, некоторые предсказания нелинейной теории еще ждут своей экспериментальной проверки.
Вопрос о нелинейных эффектах является чрезвычайно важным и с практической точки зрения, поскольку почти во всех акустоэлектронных системах работающих в режиме усиления, эти эффекты проявляются. Кроме того, изучение нелинейного взаимодействия позволило узнать много нового о неравновесных процессах в полупроводниках. Поэтому в настоящее время исследование нелинейных акустических явлений идет широким фронтом.
Какого происхождения нелинейные взаимодействия в пьезоэлектрических полупроводниках?
В диэлектрике единственный источник таких взаимодействий — нелинейность упругих свойств, которая проявляется в отклонении от закона Гука. Эта нелинейность хорошо изучена. Она, например, приводит к возникновению высших гармоник и может вызвать образование волн с резкими фронтами. Такие волны подобны волнам в воздухе, идущим от области взрыва, и называются ударными.
В пьезоэлектрических полупроводниках обычно гораздо важнее другие нелинейные взаимодействия, связанные с электронами проводимости. Таких взаимодействий можно указать несколько. Известно, что если приложить к полупроводнику электрическое поле, то потечет ток, плотность которого этому полю пропорциональна. Так дело обстоит, если поле не очень велико. Но для сильных полей пропорциональность нарушается. В таких случаях говорят, что наблюдаются отклонения от закона Ома. Поле, в котором начинают проявляться эти отклонения, зависит от температуры, и при низких температурах роль отклонений от закона Ома особенно важна. Однако при комнатной температуре они обычно несущественны. Нас же будет интересовать именно эта область температур, поскольку при комнатных температурах выполнено наибольшее число экспериментов. Поэтому механизма нелинейности, связанного с отклонениями от закона Ома, мы рассматривать не будем.
Существует специфическое нелинейное взаимодействие в полупроводниках с примесными центрами, которые могут захватывать электроны проводимости, играя для них роль своеобразных «ловушек». Оно связано с тем, что в таких полупроводниках отношение концентраций свободных электронов и захваченных в ловушки само зависит от полной электронной концентрации.