Реферат: АЦП
MOV M, A;
M2: MVI B, XX;
DCR B ;
NOP ;
NOP ;
NOP ;
JNZ M2 ;
MVI A, 29;
CMP H ;
INX H ;
JNZ M3 ;
HALT
-14-
БЛОК – СХЕМА ПРОГРАММЫ РАБОТЫ АЦП
Рис. 7.1
-15-
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В результате проделанной работы спроектировано восьмиразрядное параллельное АЦП для наблюдения формы случайного сигнала, снимаемого с ФЭУ. Данные с АЦП через программируемый контроллер могут передаваться в микропроцессорную систему компьютера для наблюдения и обработки. Установка соответствует заданным техническим условиям, позволяет обрабатывать входные сигналы отрицательной полярности амплитудой от 0 до –2 В и длительностью более 10mS. Выходные данные представляются восьмиразрядным кодом с максимальной погрешностью по амплитуде не более 5% и по длительности не более 3%.
-16-
Приложение 1
| БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | |||
|
Поз. обозн. | ОБОЗНАЧЕНИЕ | Кол-во | Примечание |
| ТРАНЗИСТОРЫ | |||
| DA1 | КТС 3101А | 1 | |
| VT1-VT3 | КТ 315Г | 3 | |
| VT4 | КП 103Е | 1 | |
| VT5,VT6 | КТ 315Г | 2 | |
| ДИОДЫ | |||
| VD1,VD2 | КС 170А | 2 | |
| VD3 | КД 521 | 1 | |
| VD4 | КС 170А | 2 | |
| КОНДЕНСАТОРЫ | |||
| C1-C3 | Н70 –0,15 ±10% х160В | 3 | |
| C4,C5 | Н50-6 –50,0 ±10% х20В | 2 | |
| C6,C7 | Н70 –0,15±10% х160В | 2 | |
| РЕЗИСТОРЫ | |||
| R1 | МЛТ-0,25-1,2К ±10% | 1 | |
| R2,R3 | МЛТ-0,25-620 ±10% | 2 | |
| R4 | СП4-1б–330 ±10% | 1 | |
| R5 | МЛТ-0,25-620 ±10% | 1 | |
| R6 | МЛТ-0,25-330 ±10% | 1 | |
| R7 | МЛТ-0,25-3 К ±10% | 1 | |
| R8 | МЛТ-0,25-47 ±10% | 1 | |
| R9 | МЛТ-0,25-11 ±10% | 1 | |
| R10 | МЛТ-0,25-47 ±10% | 1 | |
| R11 | МЛТ-0,25-11 ±10% | 1 | |
| R12 | МЛТ-0,25-3,6К ±10% | 1 | |
| R13 | МЛТ-0,25-1,8К ±10% | 1 | |
| R14 | МЛТ-0,25-470 ±10% | 1 | |
| R15 | МЛТ-0,25-1,8К ±10% | 1 | |
| R16 | МЛТ-0,25-30 ±10% | 1 | |
| R17 | МЛТ-0,25-1,3К ±10% | 1 | |
| R18 | МЛТ-0,25-43 ±10% | 1 | |
| R19 | МЛТ-0,25-8,2 ±10% | 1 | |
| R20 | МЛТ-0,25-82 ±10% | 1 | |
-17-
Приложение 2
| ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ | |||
|
Поз. обозн. | ОБОЗНАЧЕНИЕ | Кол-во | Примечание |
| ТРАНЗИСТОРЫ | |||
| VT1 | КТС 3101А | 1 | |
| VT2 | КТ 315Г | 1 | |
| ДИОДЫ | |||
| VD1 | АЛ 307Б | 1 | |
| VD2 | КД 521А | 1 | |
| РЕЗИСТОРЫ | |||
| R1 | МЛТ-0,25-620 ±10% | 1 | |
| R2 | СП4-1б–200 ±10% | 1 | |
| R3 | МЛТ-0,25-2,2К ±10% | 1 | |
-18-
Приложение 3
| СХЕМА ЗАПУСКА | |||
|
Поз. обозн. | ОБОЗНАЧЕНИЕ | Кол-во | Примечание |
| МИКРОСХЕМЫ | |||
| DD1 | К 521CА | 1 | |
| DD2 | K 555 TM2 | 1 | |
| РЕЗИСТОРЫ | |||
| R1 | МЛТ-0,25-1К ±10% | 1 | |
| R2 | МЛТ-0,25-2,2K ±10% | 1 | |