Реферат: Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах

вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам. При этом

следует различать технологические параметры интегральных микросхем

и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микрос-

хемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой

и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств,

реализованных на их основе, оказываются относительно низкими.

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК

Базовый кристалл представляет собой прямоугольную многослой-

ную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют перифе-

рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области рас-

полагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществления

внешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буфер-

ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной ВКП и

включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализовать

различные буферные схемы за счет соответствующего соединения эле-

ментов этой структуры. В общем случае в периферийной области могут

находиться ячейки различных типов. Причем периферийные ячейки мо-

гут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных пово-

ротом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением). Под базовой

ориентацией ячейки понимают положение ячейки, расположенной на

нижней стороне кристалла.

├──┐

┌──────────────┐ ├┐ │

│ Переферийная │ ├┘ │

│ ┌────────┐ │ ├──┤ ВО

│ │Внутрен.│ │ ├┐ │

│ │область │ │ ├┘ │

│ └────────┘ │ ├──┼─────┬─────┬─────┬───

│ область │ ПО├─┐│ ┌─┐ │ ┌─┐ │ ┌─┐ │