Реферат: Биполярные транзисторы 5

Ukb - напряжение коллектор база

Сob - емкость коллекторного перехода

Cjc – барьерная емкость коллекторного перехода

Cje – барьерная емкость эмиттерного перехода

Fгр – граничная частота усиления

АЧХ – амплитудно-частотная характеристика

Введение

В ходе работы мы преследуем несколько целей. В первой части наша задача – создание модели экспериментально-исследованного транзистора и внесение его в библиотеку МС7 для дальнейшего использования. При этом мы используем программу MODEL, адекватность модели создаваемой этой программой мы проверяем, рассчитывая в ней транзистор уже существующий в МС7. Получив его модельные характеристики, сравниваем созданную модель с существующей, критерий оценки – совпадение выходных характеристик в контрольной точке с точностью до 10%. Убедившись в адекватности работы, используем экспериментальные данные и справочные материалы для определения в программе MODEL всех параметров модели (статических и динамических). Заносим рассчитанный транзистор в библиотеку MC7. Критерием адекватности модели вновь является совпадение экспериментальной и модельной выходных характеристик в контрольной точке (5мА, 5В) с точностью до 10%. Во второй части мы устанавливаем рабочую точку и рассчитываем разделительные емкости для УНЧ на биполярном транзисторе. Затем анализируем его при помощи MC7, для, lkализируем его при помощи ЬСнзисторе.ку и рассчитываем разщделительныемодельной зистор уже существующий в МС7. оценки качества усиления рассчитываем коэффициент нелинейных искажений нашего УНЧ.

1. Определение параметров модели транзистора

1.1 Определение параметров модели транзистора из библиотеки МС7

В соответствии с вариантом исследуемый транзистор КТ315В. Для определение его параметров построим семейство выходных характеристик для тока базы Ib=1, 2, 3, 4, 5 мА, при этом используем следующую схему:

Рис.1

Полученные выходные характеристики:

Рис.2

????? ??? ?????????? ??????? ??????????????. ????? ?????????? ???? ????????????? ??? Uke = 0 ?; 5 ?. ?????????? ????????? ????? ?????????:

Рис.3

?????????? ??????????????:

Рис.4

?????? ????????? статические ????????? ?????? ????????? ????????? MODEL:

Рис.6

Рис.5

Рис.7

Рис.8

Рис.7

Теперь обратимся к динамическим параметрам модели транзистора, при этом используем справочные данные. Определяем напряжение эмиттер – база и ёмкость коллекторного перехода Ukb = 10 B , Cob = 7 пФ. Данные вносим в соответствующую таблицу программы MODEL и рассчитываем параметры.

Для эмиттерного перехода барьерную ёмкость Cje выбираем на порядок ниже получившейся барьерной емкости коллекторного перехода Cjc, то есть Cje = Cic/10 = .

Постоянная времени прямого включения TF (определяет среднее время жизни неосновных носителей в базе) может быть определена по граничной частоте Fгр = 5МГц и значению BF = 202.02, рассчитанному выше :

Постоянная времени обратного включения TR для сплавных транзисторов обычно задается 0.5-0.3 TF:

Итак, мы рассчитали все параметры модели исследуемого биполярного транзистора. Внесем его в библиотеку МС7, создав файл с расширением *.lib:

* Q2T208K_NEW.lib

*****

*** Q2T208K_NEW

.MODEL Q2T208K_NEW PNP (IS=9.99992F BF=202.02 NF=1.00012 VAF=46.2499