Реферат: Биполярные транзисторы 5

+ NC=2 RE=367.168M CJE=108.675P VJE=700.002M MJE=499.771M CJC=190.373P VJC=700M

+ MJC=500.069M TF=157.6P XTF=500M VTF=10 ITF=10M TR=78.78P EG=1.11)

Для проверки адекватности модели построим выходную характеристику, используя схему на рис. рассчитанного и внесенного в библиотеку транзистора КТ315Вnew при токе базы Ib = 400 мкА.

Рис.9

Сравнив значения в контрольной точке Uke = 5 В, получаем следующую погрешность в %:

ения в конрольной точке Гсчитанного и внесенного в библиотеку транзисора

1.2 Определение параметров модели транзистора из экспериментального стенда

Нами проводились исследование транзистора МП40 на лабораторном стенде. При этом, используя нижеприведенную схему, мы получили выходные характеристики транзистора при трех токах базы: Ib = 0.18 мА; 0.09 мА; 0.27 мА.

Рис.10

Полученные данные:

И соответственно выходные характеристики:

Рис.11

Также мы получили входные характеристики для исследуемого транзистора при двух значениях выходного напряжения Uke = 0 В; 5 В, используя ниже приведенную схему измерений.

Рис.12

Рис.13

Используя полученные экспериментальные данные и программу MODEL, определим статические параметры модели транзистора:

Рис.14

Рис.15

Рис.16

Рис.17

Теперь определим динамические параметры модели транзистора, при этом используем справочные данные. Определяем напряжение эмиттер – база и ёмкость коллекторного перехода Ukb = 5 B , Cob = 60 пФ. Данные вносим в соответствующую таблицу программы MODEL и рассчитываем параметры.

Аналогично для эмиттерного перехода: ёмкость эмиттерного перехода Cib = 18 пФ при Ubе = 5В.

Постоянная времени прямого включения TF (определяет среднее время жизни не основных носителей в базе) может быть определена по граничной частоте Fгр = 1МГц и величине BF = 44.14:

Постоянная времени обратного включения TR для сплавных транзисторов обычно задается 0.5-0.3 TF:

Итак, мы рассчитали все параметры модели исследуемого биполярного транзистора. Внесем его в библиотеку МС7, создав файл с расширением *.lib:

* MP40.lib