Реферат: Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов 30

По графику зависимости e = F(f) видно, что диэлектрическая проницаемость среды не зависит от частоты внешнего поля. График зависимости ХС =F(1/f) подтверждает, что емкостное сопротивление зависит от 1/f прямо пропорционально.

Опыт № 4. Исследование зависимости емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной.

U1 = 5В, R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м, r=0,06м, n=18.

a , 0

U 2

С, пкФ

С теор , пкФ

0

0,039

172

150

10

0,048

212

181

20

0,056

248

212

30

0,063

279

243

40

0,072

318

273

50

0,080

354

304

60

0,089

393

335

Опыт № 5. Измерение толщины диэлектрической прокладки .

U1 = 5В, R=120Ом, f=60 кГц.

Схема конденсатора с частичным заполнением диэлектриком.

U2 (стеклотекстолит тонкий)=0,051В,

U2 (стеклотекстолит толстый)=0,093В,

U2 (воздух)=0,039В.

С0 =172пкФ - без диэлектрика;

С1 = 411пкФ - стеклотекстолит толстый;

К-во Просмотров: 229
Бесплатно скачать Реферат: Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов 30