Реферат: Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов 30
По графику зависимости e = F(f) видно, что диэлектрическая проницаемость среды не зависит от частоты внешнего поля. График зависимости ХС =F(1/f) подтверждает, что емкостное сопротивление зависит от 1/f прямо пропорционально.
Опыт № 4. Исследование зависимости емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной.
U1 = 5В, R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м, r=0,06м, n=18.
a , 0 | U 2 ,В | С, пкФ | С теор , пкФ |
0 | 0,039 | 172 | 150 |
10 | 0,048 | 212 | 181 |
20 | 0,056 | 248 | 212 |
30 | 0,063 | 279 | 243 |
40 | 0,072 | 318 | 273 |
50 | 0,080 | 354 | 304 |
60 | 0,089 | 393 | 335 |
Опыт № 5. Измерение толщины диэлектрической прокладки .
U1 = 5В, R=120Ом, f=60 кГц.
Схема конденсатора с частичным заполнением диэлектриком.
U2 (стеклотекстолит тонкий)=0,051В,
U2 (стеклотекстолит толстый)=0,093В,
U2 (воздух)=0,039В.
С0 =172пкФ - без диэлектрика;
С1 = 411пкФ - стеклотекстолит толстый;