Реферат: Электролитические и оптические методы контроля РЭСИ

Министерство образования Республики Беларусь

Белорусский государственный университет информатики и

радиоэлектроники

кафедра РЭС

РЕФЕРАТ

на тему:

«Электролитические и оптические методы контроля РЭСИ»

МИНСК, 2008

Электрография.

Электролит состоит из бензидина, поверхностно-активного вещества и коллоида. Далее к ячейке прикладывают напряжение 5-10 В при 1 мкА и вы­держивают 5-10 мин. При приложении к ячейке напряжения неокрашенный раствор солянокислого бензидина окисляется с образованием темно-синих продуктов. После проведения процесса электрографии на фильтрованной бу­маге получается зеркальное изображение сквозных дефектов в виде темных пятен, форма и размер которых точно соответствует дефектам в диэлектриче­ской пленке. Процесс изображен на рисунке 1.

Электрофорез.

Электрофорез – движение заряженных частиц, находящихся в виде суспен­зии в жидкости, в электрическом поле между двумя электродами на одном из которых происходит осаждение частиц.

Процесс включает в себя: стадию заряда частиц, транспортирования в электрическом поле и осаждения. Положительно заряженными частицами оказываются частицы гидроокисей металлов, органических красителей, отри­цательно заряженными - частицы металлов, сульфидов и др. Ячейка для элек­трофореза представлена на рис. 2.

В качестве электролита используется ацетон или метиловый спирт. Расстояние между электродами 5 мм, время процесса 3 мин., напряжение до 80В.

При малой толщине окисла <<0,02 мкм наблюдаются дефекты, локализо­ванные непосредственно вблизи поверхности полупроводника (возможно, они возникли после механической полировки поверхности). До 0,04 мкм плот­ность выявленных дефектов возрастает, а затем быстро падает (рис.3).

Рисунок 1 – Принципиальная схема установки для электрохимической автогра­фии

1 – анод; 2 – кремниевая подложка;

3 – диэлектрическая пленка;

4 – мембранная бумага;

5 – катод.

Рисунок 2 – Испытательная ячейка для электрофореза

1 – исследуемая структура; 2 – электрододержатель;

3 – электролит; 4 – второй электрод (катод).

Рисунок 3 – Зависимость плотности дефектов от толщины слоя SiO₂

Этот характер кривой можно объяснить дополнительным выявлением сквозных дислокаций через тонкую пленку окисла. При более толстом слое окисла d = 0,04 мкм эффект сквозных дислокаций ослабевает, выявляются только несквозные дефекты. При толщинах более 0,08 мкм выявляются де­фекты, образованные в результате осаждения пленок. Как видно из рис. 4 плотность пор, выявленная методом электролиза (нижняя кривая), много меньше плотности дефектов, выявленных электрофорезным декорированием (верхняя кривая), в связи с тем, что электролиз не способен выявить "скры­тые дефекты" и выявляет только сквозные поры. Электрофорез позволяет об­наруживать следующие виды дефектов: сквозные и несквозные поры окисла, скопления примесей вблизи поверхности.

Декорирование с помощью коронного разряда.

Этот метод является модификацией электрофорезного декорирования. На первом этапе процесса ионы коронного разряда осаждаются на поверхность образца и заряжают диэлектрические участки пленки. Этот заряд создает электрическое поле. Источником положительно заряженных ионов служит проволочная сетка, подсоединенная к высоковольтному источнику постоян­ного тока, обеспечивающему напряжение до ±10 кВ и ток до 6 мА. Сетка рас­полагается в 2 см над пластиной.

Рисунок 4 – Зависимость плотности дефектов от приложенного напряжения для методов

1 – электрофореза; 2 – электролиза.

На втором этапе образец погружается в суспензию, состоящую из заряжен­ных частиц.

При совпадении знаков зарядов осаждаемых частиц и диэлектрической пленки осаждение частиц идет в местах дефектов - происходит прямое деко­рирование, которое менее полезно, чем обратное, так как дефекты оказыва­ются закрытыми осадком.

При противоположных знаках зарядов частиц и диэлектрической пленки, частицы осаждаются всюду, кроме дефектов и окружающих их областей. Та­кой процесс называется обратным декорированием. Недостатком метода явля­ется необходимость работы с высокими напряжениями и необходимость тща­тельной очистки поверхности пластины.

Рисунок 5 – Схема процесса осаждения заряженных частиц на заряженную подложку

а) прямое декорирование; б) обратное декорирование

Сравнительная оценка параметров электрохимических методов обнаруже­ния дефектов в слоях двуокиси кремния представлена в таблице 1.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--