Реферат: Электронно-дырочный переход

Содержание.

Введение. 3

Электронно-дырочный переход 4

Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. 4

Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. 5

Полупроводниковый диод. 7

Устройство диода. 7

Статические вольтамперные характеристики диода. 7

Пробой диода 9

Электрический пробой. 9

Тепловой пробой. 10

Емкости диода. 11

Барьерная емкость. 11

Диффузионная емкость. 13

Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в технике. 14

Выпрямительные диоды 14

Высокочастотные диоды 14

Импульсные диоды. 15

Полупроводниковые стабилитроны. 15

Варикапы. 16

Заключение. 17

Библиографический список: 18

Введение.

Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:

· эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник;

· фотопроводимость.

Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике).Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).

В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.

Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--