Реферат: Электронно вычислительные машины и вычислительные системы
5) с объединением входа и выхода.
Графическое обозначение микросхемы памяти.
Управляющие сигналы могут быть следующими.
1) Выбор кристалла (микросхемы) CS (разрешение работы).
2) Чтение/Запись W/R(0 - запись, 1 - чтение).
3) Сигнал разрешения обращения к микросхеме ОЕ (при полном (не мультиплексном) адресе).
Если адрес мультиплексный, то управляющих сигналов больше:
1) CS
2) OE
3) W/R
4) RAS – сигнал выбора строба адреса строки
CAS – сигнал выбора строба адреса столбца.
Эти стробы управляют и процессом выбора кристалла. Если хотя бы одного из этих сигналов нет, то выбора не происходит.
Параметры запоминающих микросхем .
1) быстродействие (10 ¸ 200нс)
2) потребляемая мощность
3) стоимость
4) емкость и др.
Емкости некоторых микросхем
64к*1б – 4164 (41-разрядность,64-объем)
128к*1б – 41128
64к*4б – 41000
4М*1 или 1М*4 – 44000.
 |
?????????? ?565??1. ?????? ???????? 64 ???????????? ????????. ????? 64 ?????? (?? ? ??????).
Вход – одноразрядный. Адрес – двенадцатиразрядный.
Схема матрицы элементов (для одной строки):
Сигнал с мультиплексора MS формируется специальной схемой.
Режим работы микросхемы.
| CE | CS | RD | Режим | Создание Д0 |
|
| x | x | Хранение | Высокоомный выход |
| 1 | 0 | 0 | Запись, регенерация | (закрытый выход) Д |
| 1 | 0 | 1 | чтение, регенерация | `Д |
| 1 | 1 | x | Регенерация | Д |
0
Способы увеличения разрядности емкости блоков памяти на динамической памяти.
Увеличение емкости памяти.
Строчная организация:
Полупроводниковые ЗУ с интерфейсом Mulypas.
Регенерация.
Способы регенерации: