Реферат: Електропровідність та оптичне поглинання стекол системи ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

На рисунку 5 подано температурні залежності питомої електропровідності для стекол системи ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₂ в інтервалі температур 0-150 ⁰ С. Для потрійної системи ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₂ (рис. 5) добре розділяються два нахили температурної залежності, причому при Т>355 К електропровідність значно швидше зростає з підвищенням температури і термічна енергія активації становить 0,5 еВ для стекол 1 % ZnSe – 75 % SnSe₂ – 24 % Ga₂ Se₃ та 0,59 еВ для 1 % ZnSe – 77 % SnSe₂ – 22 % Ga₂ Se₃ .

Обговорення результатів експерименту

Для густини станів в аморфних напівпровідниках діють такі механізми провідності, які можна виявити у відповідних інтервалах температур [1].

І. Для високих температур провідність зумовлена носіями заряду, збуджених за край рухливості в нелокалізовані стани з енергією, більшою Е_с . Провідність тоді має вигляд:

,

де s_мін – мінімальна металічна провідність при нульовій температурі (Е=Е_С ). Величина (Е_C -Е_F ) – лінійна функція від Т для високих температур, тому графіком залежності lns від 1/Т повинна бути пряма лінія.

II. Провідність пов’язана з носіями, збудженими в локалізовані стани біля країв зон. Ця провідність має стрибковий характер з енергіями поблизу Е_А . Для такого процесу маємо:

,

де s₁ – енергія активації стрибка, Е_А – енергія носіїв у “хвості” локалізованих станів, Е_F – енергія Фермі. Енергія s₁ при пониженні температури зменшується, тому що при цьому змінюється довжина стрибка. Але оскільки основний вклад у провідність вносить член, який відповідає за активацію носіїв у нелокалізованих станах, ми маємо знову лінійну залежність lns від 1/Т, тільки з іншим нахилом. Величина s₁ менша ніж s_мін через меншу густину станів поблизу енергії Е_А (“хвоста” локалізованих станів носіїв зарядів) та через меншу рухливість носіїв заряду.

III. Якщо густина станів на рівні Фермі Е_F скінченна, то у провідність будуть вносити вклад носії заряду з енергією поблизу Е_F . Ці носії можуть здійснювати стрибки між локалізованими станами. Цей вклад у провідність можна записати так:

,

де - s₂ < s₁ та s₂ – енергія активації стрибка, значення якої дорівнює приблизно половині ширини зони локалізованих станів.

Повна провідність, з урахуванням усіх перерахованих процесів, визначається як інтеграл за всіма можливими енергетичними станами.

Для зразків ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₂ з різним компонентним складом спостерігаємо меншу питому провідність, ніж у зразків Ga₂ Se₃ -SnSe₂ (без компоненти ZnSe). Причому в стеклах ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₂ при вищій температурі провідність зумовлена носіями заряду, збудженими в нелокалізовані стани (І випадок). З пониженням температури настає провідність за рахунок носіїв, які збуджені в локалізовані стани, тому наявний менший нахил провідності (ІІ випадок). Для зразків Ga₂ Se₃ -SnSe₂ , як видно з графіка, провідність описується законом І.

Зменшення провідності при введенні в систему Ga₂ Se₃ -SnSe₂ компоненти ZnSe можна пояснити зміною хімічної будови стекол цієї системи. Елемент Se як склоутворювач займає виняткове становище серед усіх елементів Періодичної системи. Він сам існує у вигляді стабільного скла і легко утворює як бінарні, так і складні стекла в широкій області сполук. Стекла створюються в тому випадку, коли в розплавах початкових речовин існують зв’язки, які допускають зміну валентних кутів і довжин [2]. При введенні в скло Ga₂ Se₃ -SnSe₂ сполуки ZnSe відбувається варіація ковалентних радіусів і кутів, що в свою чергу змінює вигляд енергетичних зон. Атоми Zn, внаслідок меншого ковалентного радіуса ніж Sn та Se, заповнюють різного роду вакантні місця і незавершені ковалентні зв’язки, що, у свою чергу, веде до вирівнювання флуктуацій потенціалу поблизу країв зон стекол системи ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₂ . У зв’язку з цим енергія активації носіїв заряду в нелокалізовані стани з енергією Е_С збільшується, а провідність зменшується. При нижчих температурах, домінуючим стає провідність, пов’язана з активацією носіїв у локалізовані стани з енергією Е_А , тому на графіку ми спостерігаємо зміну нахилу прямої провідності (зразок № 13, 14).

Із аналізу результатів за дослідженням коефіцієнта поглинання було встановлено, що край поглинання описується експонентою, яка відповідає емпіричному правилу Урбаха. Було досліджено край поглинання у довгохвильовій частині оптичного “хвоста”, який сильно залежить від чистоти і досконалості структури, та експоненціальний оптичний “хвіст”. Ділянка, де коефіцієнт поглинання описується законом a~(hn-E_g ), не досліджена у зв’язку з тим, що неможливо було виготовити зразки достатньо тонкими. Слід відмітити, що край зміщується в короткохвильову область при переході до температури азоту приблизно на 0,15 еВ (для всіх зразків). Зсув краю поглинання стекол ZnSe-Ga₂ Se₃ -SnSe₃ при зміні компонентного складу, в межах похибки експерименту, не спостерігався.

Висновки

Таким чином, у цій статті було досліджено питому електропровідність у діапазоні температур 0-150 ⁰ С та спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в області довжин хвиль 500-2500 нм. Дано пояснення зміни провідності зразків на основі зміни хімічної будови стекол залежно від компонентного складу. Тому для пояснення природи оптичних і електричних властивостей необхідно проводити подальші пошуки як експериментального, так і теоретичного плану.

Література

1. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристалических веществах: Т.1. Пер. с англ.– М.: Мир, 1974.

2. Кокорина В.Ф. О необходимых и достаточных условиях стеклообразования // Физ. и хим. стек-ла.– 1999.– Т.25.– №2.