Реферат: Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

4. По данным табл. 3.2 построить характеристики «вход-выход» стабилизатора напря­жения U _вых ( U _вх ) , снятые на постоянном и переменном токе.

5. Привести качественные осциллограммы напряжений на выходе мостового стабилизатора.

6. Дать краткие выводы по работе.

Контрольные вопросы.

1. Что называется варистором? Из каких материалов их изготавливают?

2. Чем обусловлена нелинейность ВАХ варистора?

3. Что такое степень нелинейности и как используя этот параметр можно аппроксимировать ВАХ варистора?

4. Где применяют варисторы и почему?

5. Как устроен и как работает мостовой стабилизатор напряжения на варисторах?

6. Каким параметром оцениваются стабилизирующие свойства стабилизатора напряжения?

7. Как степень нелинейности ВАХ варистора влияет на величину коэффициента стабилизации?

8. Как получить ВАХ варистора на экране осциллографа?

Работа 4.Исследование свойств фоторезисторов

Цель работы – исследование основных характеристик фоторезисторов:

1) определение зависимости величины сопротивления от освещенности;

2) получение вольтамперных характеристик при различ­ных значениях освещенности;

3) определение зависимости фототока от величины осве­щенности

4) определение интегральной чувствительности.

1. Краткие сведения из теории

Фоторезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием оптического излучения.

Работа некоторых полупроводниковых элементов основана на использовании фотоэлектрического эффекта – явления взаимо­действия электромагнитного излучения с веществом, в ре­зультате которого энергия фотонов передается электронам вещества. В твердых и жидких полупроводниках различают внешний и внутренний фотоэффекты . В первом случае поглощение фотонов сопровождается вылетом электронов из вещества. Во втором – электроны, оставаясь в веще­стве, переходят из заполненной энергетической зоны в зону проводимости, обуславливая появление фотопроводимости . В газах фотоэффект состоит в ионизации атомов или молекул под действием излучения. Внутренний фотоэффект, возникающий в паре из электронного и дырочного полупроводников, понижает контактную разность потенциалов, выполняя непо­средственное преобразование электромагнитного излучения в энергию электрического поля, что используется в фотодиодах, фототранзисторах. Наиболее ярко внутренний фотоэффект выражен в таких полупроводниковых материалах как селен, германий, кремний, различные селенистые и сернистые соединения таллия, кадмия, свинца и висмута. Из этих материалов изготавливают фотоэлементы и фоторезисторы.

В отсутствие облучения фоторезистор обладает некоторым большим сопротивлением R _т , которое называется темновым . Величина темнового сопротивления определяется температурой и чистотой полупроводника. При приложении к фоторезистору разности потенциалов в цепи возникает ток I = I_о + I_ф , (4.1)

??? I _о ? ???????? ???, I_ф ? ???????. ??????????? ???????? ?? ???????????? (????????? ??????) называется световой характеристикой (???. 4.1). ????????????? ???????? ???????? ????????????? ???????????????, ?????????? ??? ?????????? ???????????? Е (???. 4.2).

Основным параметром фоторезисторов является интегральная чувствительность , под которой понимают отношение фототока к вызвавшему его появление световому потоку белого (немонохромного) света и приложенно?