Реферат: ЭЛТ с магнитной отклоняющей системой

называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как правило, a₁ < a.

С помощью коэффициентов a и a₁ можно установить связь между обратными токами:

I_КБО = I_КБК (1 – aa₁ );

I_ЭБО = I_ЭБК (1 – aa₁ );

В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, входным током служит ток базы I_Б , а выходным, как и в схеме с ОБ, то коллектора I_К . Для схемы ОЭ, широко применяемой в радиотехнических устройствах на транзисторах, используется коэффициент передачи базового тока b. Выражение для b можно получить, решая его относительно тока I_К :

Запишем это выражение в виде

I_К = b I_Б + I_КЭО .

Где

и

- обратный ток коллекторного перехода в схеме ОЭ при I_Б = 0.

Выражение для коэффициента передачи базового тока b легко получить используя эти соотношения:

Статические параметры транзистора.

Статические параметры транзистора характеризуют свойства прибора в статическом режиме, т.е. в том случае, когда к его электродам подключены лишь источники постоянных напряжений.

Система статических параметров транзистора выбирается таким образом, чтобы с помощью минимального числа этих параметров можно было бы наиболее полно отобразить особенности статических характеристик транзистора в различных режимах. Можно выделить статические параметры режима отсечки, активного режима и режима насыщения. К статическим параметрам относятся также величины, отображающие характеристики в близи пробоя.

Статические параметры в активном режиме.

Статическим параметром для этого режима служит статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ:

Коэффициент h_21Э является интегральным коэффициентом передачи базового тока b, однако, статический коэффициент определяет как пренебрегая током І_КБО , что вполне допустимо при условии, что І_Б ³ 20І_КБО .

В качестве статического параметра активного режима используется также статическая крутизна прямой передачи в схеме ОЭ:

Статические параметры в режиме отсечки.

В качестве этих параметров используются обратные токи в транзисторе.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи:

обратный ток коллектора І_КБО – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и разомкнутом выводе эмиттера;

обратный ток эмиттера І_ЭБО – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и разомкнутом выводе коллектора;

обратный ток коллектора І_КБК – это ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор – база и при замкнутых накоротко выводах эмиттера и базы;

обратный ток І_ЭБК – это ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер – база и при замкнутых накоротко выводах коллектора и базы;

обратный ток коллектор – эмиттер – ток в цепи коллектор – эмиттер при заданном обратном напряжении U_КЭ . Этот ток обозначается: І_КЭО – при разомкнутом выводе базы; І_КЭК – при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы; І_{КЭ R} – при заданном сопротивлении в цепи базы – эмиттер; І_КЭX – при заданном обратном напряжении U_БЭ .

Статические параметры в режиме насыщения.

В качестве параметров в этом режиме используются величины напряжений между электродами транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Напряжение насыщение коллектор – эмиттер U_{КЭ нас} – это напряжение между выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора;

напряжение насыщение база – эмиттер U_{БЭ нас} – это напряжение между выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.