Реферат: ЭТПиМЭ

3. Разработка топологии ГИМС.

В конструктивном отношении гибридная ИМС представляет собой заключенную в корпус плату (диэлектрическую или металлическую с изоляционным покрытием), на поверхности которой сформированы пленочные элементы и смонтированы компоненты.

В качестве подложки ГИМС используем подложку из ситала, 9-го типоразмера имеющего геометрические размеры: 10х12 мм (см[2] стр.171; табл. 4.6). Топологический чертеж ГИМС выполним в масштабе 10:1.

3.1. Расчет пассивных элементов ГИМС.

Для заданной схемы требуется 3 резистора следующих номинальных значений:

R₁ = 4 кОм R₂ = 2 кОм R₃ = 1,8 кОм

Сопротивление резистора определяется по формуле:

,

где:

R_S - удельное поверхностное сопротивление материала.

- длина резистора.

b - ширина резистора.

Для изготовления резисторов возьмем пасту ПР - ЛС имеющую R_S =1 кОм .

Тогда:

=2 мм b = 0,5 мм

R₁ = 1000 × ( 2 / 0,5 ) = 4 кОм

=1 мм b = 0,5 мм

R₂ = 1000 × ( 1 / 0,5 ) = 2 кОм

=2,25 мм b = 1,25 мм

R₃ = 1000 × ( 2,25 / 1,25 ) = 1,8 кОм

Сведем результаты в таблицу.

Номиналы резисторов кОм.	Материал резистора.	Материал контакта площадок.	Удельное сопротивление поверхности RS , (Ом /  )	Удельная мощность рассеивания ( P0 , Вт / см2 ).	Способ напыления пленок.	- длина резистора. (мм).	B - ширина резистора. (мм).
4	ПАСТА ПР-1К	ПАСТА ПП-1К	1000	3	Сетно-графия	2	0,5
2	ПАСТА ПР-1К	ПАСТА ПП-1К	1000	3	Сетно-графия	1	0,5
1,8	ПАСТА ПР-1К	ПАСТА ПП-1К	1000	3	Сетно-графия	2,25	1,25

3.2. Подбор навесных элементов ГИМС.

Для данной схемы требуется:

1) один 4-х эмиттерный транзистор.

2) три транзистора n-p-n.

3) два диода.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:

1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.

« 1 2 3 4 5 6 7 » К-во Просмотров: 2093 Бесплатно скачать Реферат: ЭТПиМЭ >>> Скачать <<< Меню Поиск