Реферат: Импульсный усилитель

fТ>(10..100) fв,

fT=140МГц.

Этим требованиям полностью соответствует транзистор 2Т602А. Параметры транзистора приведены в таблице 3.1.

Таблица 3.1 - Параметры используемого транзистора

Наимено-вание	Обозначение	Значения
Ск	Емкость коллекторного перехода	4 пФ
Сэ	Емкость эмиттерного перехода	25 пФ
Fт	Граничная частота транзистора	150 МГц
Βо	Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	20-80
Tо	Температура окружающей среды	25оС
Iкбо	Обратный ток коллектор-база	10 мкА
Iк	Постоянный ток коллектора	75 мА
Тперmax	Температура перехода	423 К
Pрас	Постоянная рассеиваемая мощность (без теплоотвода)	0,85 Вт

Далее рассчитаем выберем схему термостабилизации.

4. Расчет схемы термостабилизации

4.1 Эмиттерная термостабилизация

Эмиттерная стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах, и получила наиболее широкое распространение. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Рисунок 4.1 - Схема эмиттерной термостабилизации

Расчёт произведем поэтапно:

1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя и напряжение питания ;

2. Затем рассчитаем .

Напряжение эмиттера выбирается равным порядка . Выберем .

Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:

(мА);(4.1.1)

Тогда:

(мА)(4.1.2)

Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)

Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:

Ом;(4.1.3)

(4.1.4)

(Ом);(4.1.5)

(Ом);(4.1.6)

Данная методика расчёта не учитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.

4.2 Пассивная коллекторная термостабилизация

Рисунок 4.2 - Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

Пусть URк=10В