Реферат: Интегрированные устройства радиоэлектроники

Начальные стадии процесса получения изопланарной структуры следующие (рис.2). На поверхность пластины, содержащей эпитаксиальные n⁺ - и n-слои, осаждают (из газовой фазы) слой нитрида кремния Si₃ N₄ . Методом фотолитографии в этом слое образуют защитную маску с окнами по контуру коллекторных областей. В процессе окисления нитридная маска сохраняется. Затем ее стравливают и всю поверхность окисляют. Далее проводят диффузию для формирования базы и эмиттера, формируют контактные окна и межсоединения.