Реферат: Исследование возможности использования эффекта автодинного детектирования в генераторах на диоде Ганна для контроля параметров вибрации

Iyд + Iyн = 0 (3.1)

Величина Yн явлыется проводимостью нагрузки и элементов настройки схемы, Yд - средняя проводимость полупроводникового

прибора,

. .

Yд = I1 / U1 (3.2)

. .

I1, U1 - комплексные амплитуды тока и напряжения первой

гармоники на полупроводниковом элементе. Т.к. к обеим

. проводимостям приложено одно и то же напряжение U1, можно

записать баланс мощностей:

2 2

| U2 | * Yд + | U1 | * Yн = 0 (3.3)

Активная мощность на нагрузке (3.4) положительна

2

Рн = | U1 | * Re(Yн) (3.4)

отсюда вытекает, что

2

| U1 | * Re(Yд) = - Рн (3.5)

.

т.е. Yд должна иметь отрицательную действительную часть при

существовании в системе колебаний с ненулевой амплитудой.

Наличие отрицательной проводимости характеризует трансформацию

энергии: полупроводниковый элемент потребляет энергию

постоянного тока и является источником колебаний ненулевой

частоты.

В качестве трансформаторов энергии может быть использован

ряд двухполюсников диодов: туннельный диод (ТД), лавинно -

пролетный диод (ЛПД), инжекционно - пролетный диод (ИПД) и

диод Ганна (ДГ).