Реферат: Изучение принципов построения оперативной памяти

функциональные узлы микросхемы, уровень ее энергопотребления воз-

растает на два-три порядка.

Вместе со структурой ОЗУ, схемы запоминающей ячейки на экране

представлены четыре типовые временные диаграммы работы статиче-

ского запоминающего устройства, которые описывают циклы записи

(слева) и считывания информации. В режиме записи на вход памяти

вначале подаются сигналы адреса, сигнал записи W/R=1 и информаци-

онный сигнал D. Затем устанавливают сигнал CS(инверт.)с задержкой

во времени tус.вм.а относительно сигналов адреса.

Длительность сигнала CS(инверт) определяют параметром tвм. Кро-

ме того, указывают длительность паузы tвм(инверт.) в последовате-

льности сигналов CS(инверт.), которую следует выдержать для вос-

становления потенциалов емкостных элементов схемы.

Сигналы адреса необходимо сохранить на время tсх.а.вм после сня-

тия сигнала CS(инверт.). В течении всего цикла записи tц.зп выход

микросхемы находится в высокоомном (третьем) состоянии.

В цикле считывания порядок подачи сигналов тот же, что при за-

писи, но при условии W/R=0. Время появления сигнала на информаци-

онном выходе DO определяют параметрами tв.вм(время выбора) и tв.а

(время выборки адреса), причем tв.а=tв.вм+tус.вм.а .

Запоминающая ячейка динамического ОЗУ.

В лабораторной работе изучается типичная ячейка динамического

ОЗУ на трех транзисторах. В дополнение к этим трем транзисторам,

необходимым для компоновки основной ячейки, вводится четвертый,

используемый при предварительной зарядке выходной емкости Cr.Бит

информации хранится в виде заряда емкости затвор-подложка (Cg).

Для опроса ячейки подается импульс на линию предварительной за-

рядки и открывается транзистор T4. При этом выходная емкость Cr

заряжается до уровня Ec и возбуждается линия выборки при считы-