Реферат: Характеристики числовых показателей нерезервированного устройства
· Для диодов-0.94
· Для микросхем-0.98
· Для транзисторов -0.51
Выбранные по таблицам 1, 2 значения λ Oi , для используемых в модуле ЭРИ, и количество элементов каждого типа ЭРИ - mi заносятся в таблицу 3.
Таблица 3.- Интесивности отказов по типам элементов
Тип элементов | Обозначение | Номинальная интенсивность отказа λOi *10-6 , 1/ч | Количество mi,, шт |
Резисторы | λOр | ||
Диоды | λOд | ||
Конденсаторы | λOс | ||
Микросхемы | λOмкс | ||
Транзисторы | λOтр | ||
Печатная плата | λOпп |
0,7 10 -6 | |
Паяное соединение | λOпс | ||
Соединитель | λOсо | Например. 1соед., но 45 контактов. Берется число контактов. | |
Кварц | λOкв | ||
............. | λOi | ||
............ и т.д. | λOi |
Используя полученные данные, вычисляется по формуле (1) интенсивность отказов каждого типа элементов.
Интенсивность отказов резисторов
λр = λ O р k a р ( T , kH )10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов конденсаторов
λс = λ O с k a с ( T , kH ) 10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов диодов
λд = λ O д0 k a д ( T , kH ) 10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов микросхем
λмс = λ O мс k a мс ( T , kH ) 10-6 , /ч
Интенсивность отказов транзисторов
λт = λ O т k a т ( T , kH ) 10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов печатной платы
λпп = 0,7 10 -6 , 1/ч
Интенсивность отказов паяных соединений
λпс = λ O пс k a пс ( T , kH ) 10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов соединителей
λсо = λ O со k a со ( T , kH ) 10-6 , 1/ч
Интенсивность отказов кварца
λкв = λ O кв k a кв ( T , kH ) 10-6 , 1/ч