Реферат: Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин

1. Введение 2

2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3

2.1. Назначение подложек 3

2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4

3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин 5

3.1. Возникновение загрязнений 5

3.2. Источники загрязнений 6

3.3. Виды загрязнений 6

4. Методы удаления загрязнений 8

4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8

4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек 9

4.2.1. Обезжиривание 9

4.2.2. Травление 10

4.2.3. Промывание пластин и подложек 13

4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13

4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15

4.3.1. Термообработка 15

4.3.2. Газовое травление 16

4.3.3. Ионное травление 17

4.3.4. Плазмохимическое травление 17

4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19

5. Заключение 20

6. Список литературы 20

1. Введение

Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.

Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.

Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.

Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.

Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).

Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--