Реферат: Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович
Концентрация электронов в зоне проводимости определяется формулой:
г
де NC – эффективная плотность состояний в зоне проводимости. Аналогично:
где NV - эффективная плотность состояний в валентой зоне. Мы знаем, что концентрации электроной и дырок одинаковы, т.е. n=p=ni , кроме того,
В этой формуле наиболее сильно всё зависит от членой в экспоненте. Так например, при комнатной температуре получается:
-
Eg, эв
ni, см-3
германий
0,66
2*1013
кремний
1,12
1010
арсенид галлия
1,42
106
Хорошо видно, что при неболшьших изменениях ширины запрещённой зоны сильно изменяется концентрация носителей заряда. Так, у германия в одном кубическом см будет 2*1013 электронов или дырок, а у арсенида галлия – всего 106, т.е. в 10 миллионов раз меньше. Поэтому между диэлектриками и полупроводниками нет принципиальной разницы, а есть только количественная – у диэлектриков просто ширина запрещённой зоны немного шире 1,6 эв.
До сих пор мы имели ввиду абсолютно чистые кристаллы, не имеющие никаких примесей. На самом деле примеси есть и играют очень большую роль. Чистые полупроводники называются собственными, а с примесями – примесными. Рассмотрим наиболее простые примеси, отличающиеся от атомов кремния и германия на одну валентность (валентность кремния и германия 4).
Если имеется примесь с 5 электронами на внешней орбите, то в связях с кремнием или германием участвуют 4 электрона, а пятый – лишний, он легко отрывается от атома примеси и может свободно двигаться по кристаллу. Таким образом, в полупроводнике появляются лишние электроны, а вследствие рекомбинация количество дырок уменьшается. Происходит сдвиг уровня Ферми вверх, равновесные концентрации электронов и дырок меняются, а их произведение остаётся прежним, см. рис. При этом примесь, отдающая один электрон, дазывается донором.
При введении в полупроводник другой примеси, 3-х валентной, происходит иная ситуация: для четырёхкратной связи атомам полупроводника нехватает одного электрона. Поэтому полупроводник отдаёт один электрон, количество электронов уменьшается, а вследствие рекомбинации количество дырок растёт. Это иллюстрирует нижний рис. Такие примеси называются акцепторами.
Полупроводник с донорной примесью называется электронным, или полупроводником n – типа, а полупроводник с акцепторной примесью называется дырочным, или p – типа. Существенно, что большинство полупроводниковых приборов использует контакт полупроводников n- и p- типов, поэтому не стараются использовать чистые полупроводники, а наоборот, делают примесные полупроводники.
Теперь рассмотрим электропроводность зоны проводимости. Обычно свободный электрон описывается
п
араболической дисперсионной кривой (зависимостью энергии от импульса), см рис.
Для электрона в кристалле всё выглядит по другому. Правда, вблизи нулевых значений импульса энергия тоже похожа на параболу, но вдали от нуля это скорее синусоида, т.е. периодическая кривая. Это отличие принципиальное. У свободного электрона при приложении электрического поля энергия его всё время растёт, а у электрона в кристалле она растёт только до некоторого значения, а затем падает. Скорость электрона определяется пр?