Реферат: Магнитные материалы для микроэлектроники

Принято классифицировать магнитные материалы для тер­момагнитной записи по типу термомагнитного эффекта, который при этом используется.

Материалы для записи в точке Кюри . Их применение основано на использовании температурной зависимости спонтанной намагни­ченности вблизи точки Кюри 0.

Эта группа материалов состоит из металлических пленок с силь­ной перпендикулярной анизотропией, классическим представителем которой является маргапцево-впсмутовая пленка (MnBi), обеспечи­вающая плотность записи порядка 10⁶ бит/см² .

Монокристаллические марганцево-висмутовые пленки изготав­ливают напылением на подложку из слюды слоев Bi и Мп, поверх которых для защиты пленки от разложения и для снижения потерь на отражение наносят слой SiO определенной толщины. Для полу­чения однородного слоя соединения MnBi эту многослойную струк­туру отжигают при Т = 300° в течение 70 ч в вакууме, в результате чего образуется пленка с низкотемпературной фазой (гексагональ­ной кристаллической структуры), причем ось легкого намагничива­ния ориентирована перпендикулярно подложке.

При локальном нагревании участка пленки выше точки Кюри (Т»360°С) происходит временная потеря намагниченности. Маг­нитное поле напряженностью 24 кА/м, приложенное перпендику­лярно поверхности пленки, обеспечивает полное перемагничивание этого локального участка при сохранении исходной намагниченно­сти других.

Материалы для записи в точке компенсации Т_к . Их применение основано на использовании температурной зависимости коэрцитив­ной силы ферромагнетика вблизи точки компенсации.

Если нагреть ферромагнетик, состоящий из двух противопо­ложных по намагниченности магнитных подрешеток, до темпера­туры, равной точке компенсации, то наблюдается резкое возраста­ние анизотропии и коэрцитивной силы. Небольшое отклонение от Т_к приводит к значительному падению Н_с и уменьшению поля за­рождения доменов обратной намагниченности.

Группа этих материалов весьма многочисленна.

Материалы для записи в точке переориентации . Их применение основано на эффекте переориентации спинов под воздействием на­грева до определенной температуры слабых ферромагнетиков с низ­кой симметрией, что приводит к изменению направления оси лег­кого намагничивания, а следовательно, и к повороту вектора намаг­ниченности.

Перспективными материалами этой группы являются ортоферри-ты со значительной перпендикулярной анизотропией. В исходном состоянии век­тор намагниченности по всей пленке расположен перпендикулярно ее поверхности. Нагрев материала выше точки переориентации приводит к локальному развороту вектора намагничен­ности в плоскость пленки. После остывания под действием сильно­го поля анизотропии и небольшого поля записи этот вектор возвра­щается в исходное состояние, причем его направление на участке записи противоположно ориентации векторов намагниченности дру­гих участков пленки. Эти материалы позволяют осуществлять запись при комнатной температуре с высокой чувствительностью при достаточной надежности считывания.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Преображенский, Бишард. Магнитные материалы и элементы. 1986г.

2. журнал "Звукорежиссер" 6/2001, с. 3-9

3. www.phys.ru