Реферат: Математическое моделирование технологического процесса изготовления ТТЛ-инвертора

-физико-топологическом;

-электрическом;

-функционально-логическом.

В ходе данной работы нам необходимо осуществить сквозное проектирование схемы ТТЛ-инвертора на трех первых уровнях.

Расчеты предусматривается произвести с использование программы расчета параметров модели биполярного транзистора Biptran и программы схемотехнического моделирования PSpice.

1Расчет режимов технологического процесса и распределение примесей после диффузии

1.1 Распределение примесей в базе

Распределение примесей в базе описывается кривой Гаусса и определяется формулой:

, (1)

где: N_S - поверхностная концентрация акцепторов;

D- коэффициент диффузии примеси;

t- время диффузии;

- глубина залегания коллекторного p-n перехода.

Поверхностная концентрация определяется по формуле:

, (2)

Из формулы 1 выражаем D₂ t₂ :

Тогда имеем следующее выражение для распределения примеси в базе:

, (3)

Результаты расчета распределения примеси в базе приведены в таблице 1, а сама кривая представлена на рисунке 1.

1.2 Расчет режимов базовой диффузии

К основным параметрам диффузионного процесса относят время диффузии и температуру диффузии.

Из выражения 2 найдём произведение D₁ t₁ для первого этапа диффузии (загонки) по формуле:

где

В результате получим:

Коэффициент диффузии примеси определяется из выражения Аррениуса:

, (4)

где =5.1 (для бора) – постоянная диффузии,

=3.7 (для бора) – энергия активации,

k – постоянная Больцмана,

Т – температура процесса диффузии.

Таким образом для бора получаем следующее выражение:

Температуру базовой диффузии при загонке выберем равной 1073К (800°С), а при разгонке 1373К (1100°С) тогда: