Реферат: Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры

этих электронов на равновесный уровень E 41 0 сопровождается испус-

канием фотонов с длиной волны, определяемой простым соотношением:

ш1

1,23

7l 0 = ───────────── [мкм]

(E 42 0 - E 41 0)[эВ]

ш0

Физика люминесценции предопределяет две примечательные осо-

бенности процесса: узкий спектр излучения и возможность исполь-

зования большого числа способов возбуждения. В оптоэлектронике

главным образом используются электролюминесценция (пробой и ин-

жекция p-n перехода в полупроводниках), а также фото- и катодо-

люминесценция (бомбардировка люминофора быстрыми электронами).

При распространении световых лучей важную роль играет диф-

ракция, обусловленная волновой природой света и приводящая, в

- 5 -

частности, к тому, что выделенный с помощью оптической системы

параллельный пучок становится расходящимся, причём угол расходи-

мости близок к 7f 4D 0 = 7 l 0/D , где D - апертура (диаметр луча света).

Дифракционный предел разрешающей способности оптических систем

соизмерим с 7 l 0, а плотность записи информации с помощью световых

потоков не может превысить 7 l 5-2 0.

В веществе с показателем преломления n скорость распростра-

нения светового луча становится c/n, а поскольку величина n за-

висит от длины волны (как правило, растёт с уменьшением 7 l 0), то

это обуславливает дисперсию.

1.3. Источники излучения.

Оптоэлектроника базируется на двух основных видах излучате-

лей: лазерах (когерентное излучение) и светоизлучающих диодах