Реферат: Механизм роста кристаллитов фуллерита в пленках Sn – C60

За время преобразования сигнала, импульсы, поступающие на вход амплитудно-цифрового анализатора, не регистрируются. Это время называют "мертвым" временем анализатора, оно зависит как от амплитуды сигнала (U), следовательно, от времени собирания зарядов полупроводника - t_cob (т.к U~1/t_cob ), так и от частоты поступления сигналов на вход предварительного усилителя - n. Поэтому, при изменении времени собирания заряда детектора и "мертвого" времени спектрометрического тракта пропорционально изменятся как площадь пика, так и центр тяжести пика (см. рис.1). Известны следующие зависимости [2]:

dМ_E = E_g {1 - (1-exp{-QdМ_S }) /B}

dМ_S =fnv_cob ,

где Q=q/t_cob , n=I/t_g , I - общее количество зарегистрированных импульсов (интеграл); t_g - "живое" время регистрации; скорость собирания зарядов - v_cob =s/t_cob , s - ширина обедненной зоны, а f, q и B - эмпирические постоянные величины, зависящие от параметров преобразования сигнала в детекторе и усилительном тракте. Таким образом, в период воздействия неэлектромагнитной компоненты физического поля, генерируемого вращающимся объектом, величина разницы средних значений площади пика и амплитуды функционально связаны с изменением энергии - dE и волнового вектора - k зарядов полупроводника (т.к1/t_cob ~v_cob ~dE/dk). На рис.1 экспериментальные и теоретические зависимости достаточно хорошо совпадают и дискретное изменение величины - Q связано с изменением энергии заряда. Степень изменения энергии заряда зависит от степени воздействия неэлектромагнитной компоненты.

Так же известно, что на временные характеристики детектора влияют дефекты в кристаллической структуре полупроводника и соответственно, среднее время удержания в зоне прилипания зарядов - t_pr = N/N_p (N-n_z ) зависит от количества дефектов - N, концентрации зарядов в ловушках прилипания - n_z и постоянной рекомбинации. В данном случае, N_p - плотность свободных дырочных состояний "приведенной" к уровню ловушек зависит от глубины дырочного демаркационного уровня ловушек [5]. Положение этого уровня определяется одинаковой вероятностью теплового заброса и вероятностью рекомбинации. Видно, что увеличение дефектов уменьшает время t_pr . Поэтому при t_pr < (t-t_cob ) компонента амплитуды импульса, обусловленная выбросом раннее захваченных носителей, увеличит выходную амплитуду на ~1% (появляется пик-дубль). При t_pr  (t-t_cob ), выходная амплитуда будет соответствовать амплитуде пика поглощения (t-момент измерения при максимальной амплитуде выходного сигнала усилителя). Таким образом, вероятность появление пика-дубля будет зависеть от отношения средних значений t_cob и t_pr , и если отношение

(t-t_cob ) /t_pr ~1,

то чувствительность отклика датчика поля неэлектромагнитной компоненты будет максимальной. Следовательно, уменьшение времени собирания заряда детектора (т.е. увеличение скорости заряда) увеличивает среднее значение пика-дубля, что соответственно приводит к уменьшению среднего значения пика полного поглощения.