Реферат: Микроструктурные исследования сплавов системы CuInSe2–CuSbSe2

25

10

15

>50 ^**

11

28

dM_max

0,85

0,56

0,58

0,75

0,42

0,15

S

2,10

2,25

^_

2,15

2,49

1,3

^{* -} горизонтальное осаждение; ^{** -} I_I00 /I₀₀₂

Рассмотренные выше примеры показывают, что в пленках Со (АОП) и, в меньшей мере, в пленках Со-W (25 вес% W) c ПМА, осажденных при комнатной температуре (текстура [001]), процессы перемагничивания хорошо описываются моделью изолированных одноосных кристаллитов. Однако при снижении энергии магнитной одноосной анизотропии или росте намагниченности насыщения сильнее проявляется влияние магнитостатического взаимодействия. Такой случай реализуется в пленках Co-W с 15 вес% W, где несмотря на столбчатый тип структуры и текстуру [001], магнитный момент лежит в плоскости пленки. Это означает, что энергия размагничивающего поля превосходит магнитокристаллическую энергию, и поэтому представление о пленках, как об ансамбле невзаимодействующих частиц оказывается некорректным. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о наличии магнитостатического взаимодействия, поскольку в большинстве исследованных пленок dМ<0 (Табл).

Знак и величина dМ (Н) во многом определяются процессами перемагничивания реальных материалов (прежде всего преобладающим механизмом перемагничивания и величиной межкристаллитного взаимодействия), при этом сопоставление их изменения с изменением других магнитных характеристик (свойств) позволяет более детально исследовать процессы перемагничивания и тесно связанный с ними магнитный гистерезис. Так, анализ изменения |dМ|_max и коэффициента прямоугольности петли гистерезиса образцов 1-4 (Табл) позволяет сделать вывод, что рост магнитостатического взаимодействия кристаллитов приводит к увеличению доли обратимых процессов при перемагничивании пленок Сo-W [7].

Представляет интерес сопоставление результатов исследования кривых dМ (Н) и кривых угловых зависимостей Н_с , т. е исследования анизотропии магнитного гистерезиса. Так, анализ кривых Н_с (j) образцов Co-15 вес.%W, полученных при различной геометрии осаждения, показывает возможность их аппроксимации кривыми, рассчитанными по модели закручивания (Рис), при этом образцу, полученному при вертикальном осаждении, соответствует кривая с меньшей величиной приведенного радиуса S, т.е. увеличение доли процессов вращения при перемагничивании. Различие в величине магнитостатического взаимодействия при перемагничивании данных образцов позволяет сделать вывод о том, что рост магнитостатического взаимодействия кристаллитов обуславливает увеличение доли процессов вращения при перемагничивании. Аналогичный вывод следует и из сопоставления результатов варьирования текстурой за счет изменения Т электролита (Табл).

Характер изменения потерь на гистерезис от угла перемагничивания W_h (j) исследованных пленок с различной структурой также указывает на изменение механизма их перемагничивания. Так, потери на гистерезис в пленках кобальт-вольфрам (25 вес.%W) со столбчатой структурой монотонно падают, но в диапазоне углов 40-90 ^о это падение заметно слабее: такое ход кривой можно объяснить усилением роли процессов смещения, доля которых возрастает в образцах с ориентацией оси "с" в плоскости пленок [3].

Выводы

В системе CuInSe₂ -CuSbSe₂ для сплавов на основе соединения с более низкой температурой плавления (CuSbSe₂ ) характерна кристаллизация в виде дендритов, что может быть объяснено высокой разностью температур плавления исходных тройных соединений. Установлено, что пределы растворимости тройных соединений с обеих сторон не превышают 0.05 мол. доли.

Литература

1. Moser A., Takano K., Margules D. et al. J. Phys. D.: Appl. Phys. 2002. V.35. P. R.157-167.

2. Mayo P. I.,O’Grady K., Chantrell R. W. et al. 1999. №2.С. .120-123