Реферат: Модель биполярного транзистора

в инверсном

(24)

включениях;

- проводимость G_C – проводимость генератора тока коллектора в прямом и инверсных включениях

(25)

Шумовая модель биполярного транзистора

При анализе частотных зависимостей передаточных характеристик в рамках анализа по переменному току линейных (усилительных) ИС может проводиться и анализ шумовых характеристик.

Эквивалентная схема шумовой модели дополнительно к элементам эквивалентной схемы малосигнальной модели содержит генераторы шумовых токов, включенных параллельно источникам шума (рис.29.3).

В приведенной эквивалентной схеме генераторы шума моделируют:

- генераторы тока I_NRB , I_NRC , I_NRE - тепловые шумы резисторов R_B ,R_{C ,} R_E соответственно и описываются уравнениями:

	(26)
	(27)
	(28)

- генераторы I_NC , и Inb – дробовой и фликер-шумы генераторов тока I_C и I_B соответственно и описываются уравнениями:

	(29)
	(30)

где K_f и α_f - коэффициенты фликер-шума,

f- частота переменного входного сигнала.

Температурная модель биполярного транзистора

В программе PSPICE моделируются следующие температурные зависимости параметров БТ:

- начального значения тока инжекции в базу I_S (T) (моделируется так же, как начальное значение тока диода (14));

Рис. 3. Эквивалентная схема шумовой модели БТ

Рис. 4. Эквивалентная схема ПТУП

- начального значения рекомбинационной составляющей тока базы в прямом включении

(31)

где X_TB - коэффициент температурной зависимости коэффициента передачи тока,

X_{T 1} - коэффициент температурной зависимости начального тока; -начального значения рекомбинационной составляющей тока базы в обратном включении I^R _BRO (Т) (моделируется аналогично I^F _BRO (Т), только вместо параметра N_E в выражение (48) подставляется Nc)', - коэффициента передачи тока в прямом включении

(32)

– коэффициента передачи тока в обратном включении B^R (T) (моделируется аналогично B^F (T), только вместо B^F в выражение (49) подставляется B^R

–контактных разностей потенциалов р-п - переходов база-эмиттер φ_BE (t) и база-коллектор φ_BC (t) (моделируются так же, как контактная разность потенциалов диода (14), только вместо φ_J подставляются φ_BE или φ_{B С} соответственно);

-емкостей р-п - переходов база-эмиттер Све(Т) и база-коллектор Свс(T) (моделируются так же, как емкость р-п - перехода диода (15) только вместо C_JO подставляются Сbeили Сbс соответственно;

-коэффициентов фликер-шума К_f (Т) и а_f (Т) (моделируются аналогично диоду).

ЛИТЕРАТУРА

1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.

2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.

3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.