Реферат: Модель биполярного транзистора
в инверсном
 | (24) |
включениях;
- проводимость GC – проводимость генератора тока коллектора в прямом и инверсных включениях
 | (25) |
Шумовая модель биполярного транзистора
При анализе частотных зависимостей передаточных характеристик в рамках анализа по переменному току линейных (усилительных) ИС может проводиться и анализ шумовых характеристик.
Эквивалентная схема шумовой модели дополнительно к элементам эквивалентной схемы малосигнальной модели содержит генераторы шумовых токов, включенных параллельно источникам шума (рис.29.3).
В приведенной эквивалентной схеме генераторы шума моделируют:
- генераторы тока INRB , INRC , INRE - тепловые шумы резисторов RB ,RC , RE соответственно и описываются уравнениями:
 | (26) |
 | (27) |
 | (28) |
- генераторы INC , и Inb – дробовой и фликер-шумы генераторов тока IC и IB соответственно и описываются уравнениями:
 | (29) |
 | (30) |
где Kf и αf - коэффициенты фликер-шума,
f- частота переменного входного сигнала.
Температурная модель биполярного транзистора
В программе PSPICE моделируются следующие температурные зависимости параметров БТ:
- начального значения тока инжекции в базу IS (T) (моделируется так же, как начальное значение тока диода (14));
Рис. 3. Эквивалентная схема шумовой модели БТ
Рис. 4. Эквивалентная схема ПТУП
- начального значения рекомбинационной составляющей тока базы в прямом включении
 | (31) |
где XTB - коэффициент температурной зависимости коэффициента передачи тока,
XT 1 - коэффициент температурной зависимости начального тока; -начального значения рекомбинационной составляющей тока базы в обратном включении IR BRO (Т) (моделируется аналогично IF BRO (Т), только вместо параметра NE в выражение (48) подставляется Nc)', - коэффициента передачи тока в прямом включении
 | (32) |
– коэффициента передачи тока в обратном включении BR (T) (моделируется аналогично BF (T), только вместо BF в выражение (49) подставляется BR
–контактных разностей потенциалов р-п - переходов база-эмиттер φBE (t) и база-коллектор φBC (t) (моделируются так же, как контактная разность потенциалов диода (14), только вместо φJ подставляются φBE или φB С соответственно);
-емкостей р-п - переходов база-эмиттер Све(Т) и база-коллектор Свс(T) (моделируются так же, как емкость р-п - перехода диода (15) только вместо CJO подставляются Сbeили Сbс соответственно;
-коэффициентов фликер-шума Кf (Т) и аf (Т) (моделируются аналогично диоду).
ЛИТЕРАТУРА
1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.
2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.
3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.