Реферат: Модуль АФАР
S гр , А/В;
R пк ,°С/Вт;
Т п ,°С;
Т к ,°С;
h 21э ;
C к , пФ;
C кп , пФ;
C э , пФ;
r б , Ом;
r э , Ом;
r к , Ом;
L б , нГн;
L к , нГн;
L э , нГн;
P к доп , Вт
Приводимый ниже порядок рас чета граничного режима работы при U в0 = 0 может быть ис пользован для включения транзис тора как по схеме ОЭ, так и по с хеме ОБ. Там, где формулы рас чета для с хем ОЭ и ОБ отличаютс я, будет с делана пометка “ОЭ” или “ОБ”. Все расчеты проводятс я в сис теме С И.
1. Напряженнос ть ξгр режима:
.
2. Амплитуда напряжения и тока первой гармоники эквивалентного генератора:
.
3. Пиковое напряжение на коллекторе:
U к пик =U к0 +U г1 <U кэ доп .
При невыполнении неравенства следует изменить режим или выбрать другой тип транзистора.
4. Параметры транзистора:
; ; .
5. Находим значения параметров А и В :
, , где .
С помощью графика A (γ1 ) на рис. 4 определяем коэффициент разложения γ1 (θ). Затем по табл. 3.1. [1] для найденного γ1 (θ) определяем значения, θ, cos(θ) и коэффициент формы g 1 (θ).
6. Пиковое обратное напряжение на эмиттере