Реферат: Мультивибратор
- коэффициент передачи тока базы h21 =20 ... 75;
- емкость коллекторного перехода Ck < 8 пФ;
- сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас <30 Ом.
Активный элемент усилителя напряжения, т.е. транзистор VT2, должен быть высокочастотным n-p-n транзистором малой мощности с напряжением Uкэ >1,5•Eп2 .
Подойдет транзистор 1Т311А, который имеет следующие технические характеристики:
- мощность рассеяния коллектора Pkmax =150 mВт;
- граничная частота fгр >300 МГц;
- предельное напряжение коллектор-база Uкбо =12 В;
- предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб =2 В;
- максимальный ток коллектора Ikmax =50 mA;
- коэффициент передачи тока базы h21 =15 ... 80;
- емкость коллекторного перехода Ck < 2,5 пФ;
- сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас <20 Ом.
Транзистор VT1 источник тока должен иметь напряжение коллектор-эмиттер Uкэ1 >1,5 •Еп2 =9 В. Этому условию удовлетворить транзистор 2Т301Е. Это кремниевый n-p-n транзистор со следующими характеристиками:
- мощность рассеяния коллектора Pkmax =150 mВт;
- предельное напряжение коллектор-база Uкбо =30 В;
- предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб =3 В;
- максимальный ток коллектора Ikmax =10 mA;
- коэффициент передачи тока базы h21 =40 ... 180;
- сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас <300 Ом.
Туннельный диод VD3выбран из условия, что участок его ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположен в диапазоне напряжений, охватывающим рабочую точку Uбэ2 транзистора VT2.
Выбран туннельный диод 3Н306Р с параметрами:
- пиковый ток 4,5 ... 5,5 мА;
- напряжение пика не более 0.78 мА;
- напряжение раствора 0,85 ... 1,15 В;
- максимально допустимый постоянный прямой ток 1,2 мА.
Прямое напряжение отпирания диода VD2 Uпор VD2 должно быть больше напряжения UVD3 на туннельном диоде VD3. Этому условию удовлетворяет кремниевый диод типа 2Д503Б с параметрами:
- постоянное прямое напряжение при Iпр =10 мА не более 1,2 В;
- импульсное прямое напряжение при Iпримп =50 мА не более 3,5 В;