Реферат: Новые технологии в организации PC

При использовании слота для обмена по шине:

· Подсистема PCI I/O должна разрабатываться под напряжение 3.3V c возможностью функционирования при 5 V.

Поддержка 64-разрядного или 66 MHz режимов не требуется.

Карты Low Power могут потреблять 25-50W, поэтому для обеспечения охлаждения спецификация требует наличия одного свободного слота PCI.

При этом все retail-карты AGP Pro должны иметь специальную накладку шириной соответственно в 3 или 2 слота, при этом карта приобретает вид достаточно устрашающий.

При этом в разъем AGP Pro можно устанавливать и карты AGP.

3. Registered DIMM SDRAM

Я думаю, что все знают, что модули оперативной памяти обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM, ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.

Для начала надо сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра особенно нравится, так как первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).

Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.

Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Сама IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, а также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti.

<TBODY>	SDR RDIMM	DDR RDIMM
Время прерывания (циклов) (Burst length )	2, 4, 8	2, 4, 8
Тип прерывания (Burst type)	Последовательное чередование (sequential interleave)	последовательное чередование (sequential interleave)
Число тактов для работы с памятью (CAS latency)	2, 3, 4	2, 2.5, 3
Режим работы	Нормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode)	Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLL</TBODY>

Из таблицы мы видим, что SDR является упрощенным вариантом DDR RDIMM SDRAM. Особенности DDR заключаются в следующем:

· Работа на частоте 125, 133 и 143 MHz за 2, 2,5 и 3 такта (CAS latency = 3), в зависимости от разновидности модулей

· Однотактовое формирование сигнала RAS (Signal-pulsed RAS interface)