Реферат: Оценка теплового режима ИМС Расчет надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам

Следует отметить, что полупроводниковые ИМС общего применения универсальны и предназначены для многоцелевого использования. В конкретном схемном включении часть цепей и внешних выводов ИМС может не использоваться и, следовательно, они не будут влиять на надежность всего устройства. Поэтому расчет по выражению (27.1) необходимо производить с учетом конкретного включения ИМС. Это часто имеет место при использовании бескорпусных полупроводниковых ИМС в МСБ. Следовательно, одна и та же ИМС может иметь различные уровни надежности.

Табл. 1 Коэффициенты режима работы элементов полупроводниковых

ИМС

Коэффициент режима работы	Температура, °С
	20	30	40	50	60	70	80
	1,0	1,35	1,85	2,60	3,60	4,90	6,20
	1,0	1,27	1,68	2,0	2,60	3,40	4,10

Физический метод. Данный метод учитывает не только количество компонентов ненадежности, но и качество разработанной топологии, количество технологических операций, режим работы и эксплуатационные воздействия.

Исходными данными для расчета надежности полупроводниковых ИМС физическим методом являются принципиальная электрическая схема, разработанная топология, маршрут технологического процесса и значения интенсивности отказов компонентов ненадежности.

В отличие от гибридных ИМС в полупроводниковых ИМС выделяют следующие элементы конструкции, характеризующиеся определенными значениями интенсивности отказов: кристалл, корпус, соединения. Однако активные и пассивные элементы полупроводниковых ИМС формируются в объеме и (или) на поверхности кристалла с помощью определенного числа технологических операций и не могут считаться самостоятельными (дискретными) при расчете надежности. Их надежность во многом будет зависеть от сложности технологического процесса. Анализ отказов полупроводниковых биполярных и МДП-ИМС позволяет выявить наиболее часто встречающиеся отказы, обусловленные различного рода дефектами, и определить их интенсивность. Так, для полупроводниковых ИМС, в зависимости от вида дефекта, установлены такие значения интенсивности отказов элементов структуры и конструкции:

из-за дефектов, обусловленных диффузией (для одной стадии) ;

из-за дефектов металлизации (на 1 мм² площади) ;

из-за дефектов оксида (на 1 мм² площади) ;

из-за дефектов от посторонних включений в корпусе (на 1 мм² площади кристалла);

из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла (на 1 мм² площади кристалла)

из-за некачественного крепления кристалла ;

из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения ;

из-за повреждения корпуса (для пластмассового корпуса) и (для металлокерамического корпуса).

По этим значениям можно определить интенсивности отказов активных и пассивных элементов и элементов конструкции полупроводниковых ИМС с учетом стадийности диффузионных или других высокотемпературных процессов, реальных площадей элементов, металлизации и кристалла.

Поэтому в качестве компонентов ненадежности используют элементы структуры и конструкции полупроводниковой ИМС, значения интенсивностей отказов которых определяются выражениями:

	(4)
	(5)
	(6)

где , , — интенсивности отказов элементов (транзистора, диода, диффузионного резистора, диффузионной перемычки или шины), металлизации и кристалла соответственно; — число стадий диффузии при формировании того или иного элемента; , , — площади (в мм² ) элемента, металлизации и кристалла соответственно.

К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, характеризующиеся значениями и . Только после такого определения расчет можно свести, как и в случае гибридных ИМС, к суммированию интенсивностей отказов отдельных компонентов ненадежности с учетом поправочных коэффициентов на величину электрической нагрузки и состояние окружающей среды.

В данном случае интенсивность отказов полупроводниковых ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением

(7)

где т — число групп элементов;

n_i — число элементов данного типа с одинаковым режимом работы;

— поправочный коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки;

— поправочный коэффициент, учитывающий механические воздействия, относительную влажность и изменение атмосферного давления;

— интенсивность отказов элементов структуры (транзисторов, диодов, резисторов), металлизации, кристалла и конструкции (соединений, корпуса).

Порядок расчета надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам физическим методом следующий.

1. По заданной принципиальной электрической схеме и разработанной топологии определяют число n_i структурных элементов каждого типа и число т, m_i типов элементов.

2. По топологии и маршрутной карте технологического процесса изготовления полупроводниковой ИМС определяют число диффузий для изготовления структурных элементов каждого типа.

3. По топологии определяют площади структурных элементов каждого типа , и площадь кристалла .

4. Используя данные по интенсивностям отказов элементов структуры и конструкции, по выражениям (4) — (6) определяют значения для элементов каждого типа.