С помощью конденсатора С4 осуще­ствляется плавный запуск стабилизато­ра. Кроме того, его емкость определяет период перезапуска при превышении порога защиты по току.

Резистор R5 и конденсаторы С5, С6 — элементы частотной компенсации внутреннего усилителя ошибки.

Конденсатор СЗ и резистор RЗ опре­деляют несущую частоту широтно-импульсного преобразователя.

Конденсатор С2 задает время между резким уменьшением выходного напря­жения (вызванного внешними причина­ми, например, кратковременной пере­грузкой по выходу) и переходом сигнала RESО (вывод 14 DА1) в состояние, соот­ветствующее нормальной работе, когда транзистор, включенный между выво­дами RESО и GND внутри микросхемы, закрывается. Резистор R6 обеспечива­ет нагрузку открытого коллектора этого транзистора. Если планируется исполь­зовать сигнал RESО с привязкой его к напряжению, отличному от выходного напряжения стабилизатора, то резис­тор R6 не устанавливают, а нагрузку от­крытого коллектора подключают внутри приемника сигнала RESО.

Резистор R4 обеспечивает нулевой потенциал на входе INHI (вывод 6 DА1), что соответствует нормальной работе микросхемы. Стабилизатор можно вы­ключить внешним сигналом высокого ТТЛ уровня.

Применение диода КД636АС (его сум­марный допустимый ток значительно пре­восходит требуемый в этом стабилизато­ре) позволяет увеличить КПД на 3...5 % при незначительном удорожании устрой­ства. Это приводит к снижению температуры теплоотвода и, следовательно, к уменьшению его габаритов и массы.

Резисторы R7 и R8 служат для регу­лирования выходного напряжения. Ког­да движок резистора R7 находится в нижнем по схеме положении, напря­жение на выходе минимально и равно образцовому напряжению микросхемы DА1, соответственно, когда в верхнем — выходное напряжение максимально.

Тринистор VS1 открывается сигна­лом СВО (вывод 15 DА1), если напряже­ние на входе СВI (вывод 1 DА1) превышает внутреннее образцовое микросхе­мы DА1 приблизительно на 20 %. Так осуществляется защита нагрузки от превышения напряжения на выходе.

Все оксидные конденсаторы К50-35, кроме С1 — К50-53. Конденсатор С6 — керамический К10-176, остальные пленочные (К73-9, К73-17 и т. д.). Все по­стоянные резисторы — С2-23. Перемен­ные резисторы R2 и R7 — СПЗ-4аМ мощ­ностью 0,25 Вт. Их устанавливают на пла­те с помощью кронштейнов. Дроссель 11 наматывают на двух сложенных кольце­вых магнитопроводах К20х12х6,5 из пер­маллоя МП140.

.

Рис.9.

Импульсный стабилизатор напряжения на микросхеме LM 2576 ADJ (рис.10)

Сегодня многие фирмы производят специализированные мик­росхемы для импульсных стабилизаторов напряжения. Рассмотрим применение в подобном уст­ройстве микросхемы фирмы NationalSemiconductor. Отличи­тельная ее особенность — возможность регулирования выходно­го напряжения при токе нагрузки 3 А.

Основное преимущество импульс­ных стабилизаторов по сравнению с аналоговыми — высокий КПД, по­скольку работающий в переключатель­ном режиме регулирующий транзистор рассеивает минимальную мощность. Благодаря этому не требуется боль­шой теплоотвод. Кроме того, в регули­руемых стабилизаторах можно осуще­ствить непрерывное перекрытие всего интервала выходного напряжения, без введения подинтервалов (без до­полнительных переключений), что осо­бенно важно для лабораторных блоков питания. Однако из-за присущих им­пульсным стабилизаторам специфиче­ских свойств — сложности, наличия импульсных помех и сквозного тока ре­гулирующего транзистора — на прак­тике их применяют гораздо реже ана­логовых.

Современные специализированные микросхемы позволяют значительно упростить импульсные стабилизаторы напряжения и снизить уровень им­пульсных помех, а применение мощных быстродействующих диодов с барье­ром Шотки практически решает про­блему сквозного тока регулирующего транзистора.

Сегодня такие микросхемы выпуска­ют многие отечественные предприятия и зарубежные фирмы. Например, фир­ма NationalSemiconductor производит несколько серий микросхем для интег­ральных импульсных стабилизаторов напряжения. Одна из них — LM2576 Основные технические характерис­тики микросхем этой серии

Максимально допустимое

входное напряжение, В ........45

Интервал входного напря­жения, В ...............4,75...40

Номинальное напряжение сигнала обратной связи, В .........................1,23

Интервал напряжения об­ратной связи, В......1,217...1,243

Импульсный коммутируе­мый ток, А...................5,8

Средний ток, А ...................3

Частота коммутации, кГц .........52

КПД, % ........................77

Тепловое сопротивление

кристалл—корпус, °С/Вт ......2 »

Корпус......пластмассовый ТО220-5

Рис.10.

Литература

1. Найвельт Г.С. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры.

М.Радио и связь. 1985г.