Реферат: Применение гетеропереходов в оптоэлектронике
Введение.....................................................
Гетеропереход. Физические основы...........
Применение гетеропереходов.
Излучатели.
Инжекционный лазер...................
Светоизлучательный диод............
Исскуственные квантовые
ящики................
Приемники.
Фотодиод......................................
Фототранзистор............................
Заключение.................................................
Введение.
Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, хранения и отображения информации.
Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно- технологические концепции современной электроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий, таких как эпитаксия, фотолитография, нанесение тонких пленок, диффузия , ионная имплантация, плазмохимия и др.
Исключительно важны и перспективны для оптоэлектроники гетероструктуры , в которых контактируют (внутри единого монокристалла) полупроводники с различными значениями ширины запрещеной зоны.
Гетеропереход. Физические основы.
Если n- и p-область перехода изготовлены из различных полупроводников, то такой переход называется гетеропереходом. Отличие
от обычного перехода более тонко в том случае, когда полупроводники взаиморастворимы, а переход плавный. Переходы последнего типа иногда называют "квазигомопереходами". Таким образом, плавные переходы между n-ZnSe и p-ZnTe или между p-GaAs и n-GaР являютcя квазигомопереходами.
Одной из причин обращения к гетеропереходам является возможность получить высокоэффективную инжекцию неосновных носителей в узкозонный полупроводник, т.е. суперинжекция, заключающаяся в том, что концентрация инжектированных в базу носителей может на несколько порядков превысить их равновесное значение в змиттерной области (см. рис. 1). Это означает, что стремление получить g=1 в широком интервале изменения прямого тока не накладывает каких-либо ограничений на вид и концентрацию легирующей примеси в эмиттерной и базовой областях - у разработчика оптоэлектронных приборов появляется лишняя "степень свободы".
Рис. 1.
Это свойство гетеропереходов легко понять из рассмотрения рис.2. Когда прямое смещение выравнивает валентную зону, дырки нжектируются в n-область. Инжекции же электронов из n-области в p-область препятствует барьер DE = Еg1 - Еg2 (см. рис. 2).
а) б)
Рис.2. Идеальная зонная схема для гетероперехода.
а) - в условиях равновесия; б) - при прямом смещении V
Очевидно, что в этом случае излучательная рекомбинация будет происходить в узкозонной области. Так, в гетеропереходах GaAs - GaSb полоса инжекционной люминесценции находится при энергии 0,7 эВ , что равно ширине запрещенной зоны GaSb. Оптические свойства эмиттера и базы гетероструктуры различны и могут в широких пределах изменяться независимо друг от друга. Отсюда, в частности, следует, что широкозонный эмиттер представляет собой "окно" для более длинноволнового излучения, генерируемого (или поглощаемого) узкозонной базой. Кроме того, различие в значениях Еg ведет и к различию показателей преломления n, что порождает волноводный эффект, т.е. концентрацию оптической энергии в слое с большим n при распространении излучения вдоль слоя.
На практике гетеропереходам присущи недостатки, связанные с границей раздела: уровень Ферми оказывается фиксированным на границе из-за поверхностных состояний. Поэтому вместо ровного хода для одной из зон обычно имеет место барьер типа Шоттки, как показано на рис. 3. Поскольку барьер Шоттки обладает выпрямляющим действием, его рисутствие становится очевидным при рассмотрении n-n-гетеропереходов - т.е. переходов между двумя различными полупроводниками n-типа .
Рис. 3
Особый интерес представляют гетеропереходы между CdS и каким-либо более широкозонным полупроводником p-типа. Кристаллы CdS всегда имеют n-тип проводимости, и р-n-переходы в этом материале до сих пор не изготовлены, несмотря на более чем двухдесятилетние усилия многих исследовательских групп. Соединение CdS обладает широкой прямой запрещенной зоной (Еg d 2,5 эВ) и может излучать зелено-голубой свет.
Были предприняты попытки изготовить гетеропереходы между CdS и SiC. SiC - широкозонный полупроводник, которому, по желанию, с помощью соответствующего легирования можно придать n- или p-тип проводимости. В зависимости от модификации ширина запрещенной зоны SiC варьируетсн от 2,7 до 3,3 эВ. Модификация определяет характер периодичности в расположении атомных связей. CdS n-типа был выращен на SiC р-типа, с тем чтобы дырки при прямом смещении могли инжектироваться в CdS и создавать видимое излучение. Было обнаружено, что спектр излучения сдвигается с током и цвет люминесценции плавно меняется от красного до зеленого. Соединение Cu2S , которое имеет p-тип проводимости, также обладает запрещенной зоной, более широкой чем CdS. Гетеропереходы, изготовленные напылением Cu2S на CdS, имеют красную инжекционную люминесценцию, интенсивность которой линейно менялась с током. Этот процесс, по-видимому, связан, с рекомбинацией через глубокие центры.
Применение гетеропереходов.
Излучатели.
Инжекционный лазер.
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--