Реферат: Принципы построения ОЗУ
высокоомном (третьем) состоянии.
В цикле считывания порядок подачи сигналов тот же, что при записи, но при
условии W/R=0. Время появления сигнала на информационном выходе DO определяют
параметрами tв.вм(время выбора) и tв.а (время выборки адреса), причем
tв.а=tв.вм+tус.вм.а .
Запоминающая ячейка динамического ОЗУ.
В лабораторной работе изучается типичная ячейка динамического ОЗУ на трех
транзисторах. В дополнение к этим трем транзисторам, необходимым для компоновки
основной ячейки, вводится четвертый, используемый при предварительной зарядке
выходной емкости Cr.Бит информации хранится в виде заряда емкости
затвор-подложка (Cg). Для опроса ячейки подается импульс на линию
предварительной зарядки и открывается транзистор T4. При этом выходная емкость
Cr заряжается до уровня Ec и возбуждается линия выборки при считывании. В
результате открывается транзистор T3, напряжение с которого подается T2. Если в
ячейке хранится 0 (Cg разряжена), то T2 закрыт и на Cr сохранится заряд. Если же
в ячейке содержится 1 (Cg заряжена), то транзистор T2 открыт и Cr разрядится. На
выход поступает инвертируемое содержимое адресуемой ячейки.
Операция ЗАПИСЬ выполняется путем подачи соответствующего уровня напряжения на
линию записи данных с последующей подачей импульса на линию выборки при записи.
При этом транзистор T1 включен и Cg заряжается до потенциала линии записи
данных.
Существуют различные схемные варианты реализации динамического ОЗУ. Во всех этих
вариантах используется МОП-технология, поскольку для предотвращения быстрой
зарядки емкости Cg необходимо высокое полное входное сопротивление. Однако и для
случая МОПприборов необходима периодическая регенерация ячейки (подзарядка Cg).
Период регенерации зависит от температуры и для современных приборов находится,
как правило,в интервале 1-3 мс при температуре от 0 до 55С. Регенерация ячейки
динамического ОЗУ выполняется путем считывания хранимого бита информации,
передачи его на линию записи данных и последующей записи этого бита в ту же