Реферат: Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах

;

,

где - емкость коллекторного перехода;

- постоянная времени цепи обратной связи;

- статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

- ток эмиттера в рабочей точке в миллиамперах;

=3 - для планарных кремниевых транзисторов;

=4 - для остальных транзисторов.

В справочной литературе значения и часто приводятся измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер . Поэтому при расчетах значение следует пересчитать по формуле [1]

,

где - напряжение , при котором производилось измерение ;

- напряжение , при котором производилось измерение .

Поскольку и оказываются много меньше проводимости нагрузки усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются.

Значения элементов схемы замещения, приведенной на рис. 1.2, могут быть рассчитаны по следующим формулам [3, 4]:

;

;

;

,

где , - индуктивности выводов базы и эмиттера;

- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

- максимально допустимый постоянный ток коллектора.

При расчетах по эквивалентной схеме приведенной на рис. 1.2, вместо используют параметр - коэффициент усиления транзистора по мощности в режиме двухстороннего согласования [2], равный:

, (1.1)

где = - круговая частота, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности в режиме двухстороннего согласования равен единице;

- текущая круговая частота.

Формула (1.1) и однонаправленная модель (рис. 1.2) справедливы для области рабочих частот выше [5].

2. РАСЧЕТ НЕКОРРЕКТИРОВАННОГО КАСКАДА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

2.1. ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД

Принципиальная схема оконечного некорректированного усилительного каскада приведена на рис. 2.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рис. 2.1,б, где - разделительный конденсатор, - резисторы базового делителя, - резистор термостабилизации, - блокировочный конденсатор, - сопротивление в цепи коллектора, - сопротивление нагрузки.

При отсутствии реактивности нагрузки, полоса пропускания каскада определяется параметрами транзистора. В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних частот можно описать выражением:

,