Реферат: Расчет непосредственного преобразователя частоты
Угол сдвига тока относительно напряжения
fкз =arccos(Pкз /3* Sкз )=arccos(550/3* 253,066)=43,557о .
Расчетное активное сопротивление, учитывающее потери в обмотках трансформатора (приведение к вентильной стороне):
RрТР =( R2р + R’1р ) = Pкз /3*I2 кз *К2 тр =550/3*22,1212 *1,9892 =0,095 Ом.
Расчетная величина индуктивного сопротивления, обусловленного магнитными потоками рассеяния
(ХS2 р +ՒS1 р )=(R2р + R’1р )tgfкз =0,095tg43,557=0,090 Ом.
Индуктивность рассеяния:
(LS2 р +L’S1 р )=(ХS2 р +ՒS1 р )/w=0,09/314=2,866*10-4 Гн.
Итак:
Ro = 9,538 Ом.
Xo = 99 Ом.
Lo = 0,315 Гн.
Ls=2,866*10-4 Гн.
Xs=0,09 Ом.
Rтр=0,095 Ом.
Схема замещения одной фазы силового трансформатора и ее параметры:
Выберем Т-образную схему замещения (рис. 3).
Рис .4 Схема замещения для одной фазы трансформатора.
Rтр=2(R2р + R’1р )=(2*Ркз )/(3*I2 1 Н )=2*550/3*22,1212 =0,749 Ом.
Xs=2(R2р + R’1р ) tgfкз =0,749*tg43, 577=0,713 Ом.
Параметры схемы замещения.
продольная ветвь:
R1 » R’ 2 =rтр / 2 = 0,749/ 2 = 0,375 Ом;
Xs1 » X’ s2 = Xs / 2 = 0,713 / 2 = 0,357 Ом.
поперечная ветвь:
R0 = 4,769 Ом; Xm = 49,5 Ом.
Выбор тиристоров.
Основными параметрами по выбору полупроводникового прибора для данного преобразователя являются:
– предельный средний ток тиристора при соответствующей температуре;
– действующее значение тока через прибор;
– повторяющееся напряжение;
– критическая скорость нарастания прямого тока;
– критическая скорость нарастания прямого напряжения и др.
С использованием таблицы 1 определяем величины токов и напряжений, которые будут действовать на управляемые вентили в данной схеме преобразователя:
среднее значение тока через вентиль
IB= = 0,333*Id = 0,333*100 = 33,3 A;
максимальное обратное напряжение, прикладываемое к вентилю
Um обр. = 2,3Ud = 2,3*100 = 230 B;
величина действующего значения тока тиристора
IB = 0,55*Id = 0,55*100 = 55A;
Максимальная величина тока вентиля ImB = 0.5Id = 50 A.
Выбираем по справочной литературе тиристор типа ТО142–80, который имеет следующие предельно допустимые параметры:
повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии
Uзсп=600 – 1200 В;
повторяющееся импульсное обратное напряжение
Um обр. =600 – 1200 В;
максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии при f=50 Гц, b=180o , Tk=70o C
Iп.к. =80 А;
максимальное действующее значение тока
IBмакс = 125 A;
обратный ток и ток утечки при повторяющемся напряжении и температуре структуры 125 ˚С
I обр. < 50 мА;
критическая скорость нарастания прямого тока
(di/dt)кр. = 100 А/мкс;
критическая скорость нарастания прямого напряжения
(dU/dt)кр = 100 В/мкс.
ударный ток при длительности 10 мс и температуре структуры 100 ˚С
Iуд. = 1350 А.