Реферат: Расчет операционного усилителя

Выполнил: Капитонов А.И.

Группа: Эл-371(1)

Проверил: Деулин Б.И.

Орел, 2010.

Содержание

Введение		3
1. Расчет усилительного транзиторного каскада		5
1.1 Выбор транзистора, определение напряжения источника питания, расчет сопротивления резисторов		5
1.2 Определение h параметров в рабочей точке транзисторного каскада		9
1.3 Определение амплитуды напряжения и тока базы, коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности, и амплитуду напряжения источника сигнала		10
1.4 Расчет емкости конденсаторов и выбор их номиналов		11
2. Расчет инвертирующего усилителя постоянного тока		13
2.1 Расчет сопротивления резисторов		13
2.2 Выбор операционного усилителя		14
3. Расчет логической функции		17
3.1 Упрощение логической функции, пользуясь алгеброй логики		17
3.2 Составление таблицы истинности		18
3.3 Разработка функциональной электрической схемы на базовых элементах		19
Заключение		20
Список используемой литературы		21

Введение

Электроника является универсальным исключительно эффективным средством при решении самых различных задач в области сбора, преобразования информации, автоматического и автоматизированного управления.

Сфера применения электроники постоянно расширяется. Роль электроники в настоящее время существенно возрастает в связи с применением микропроцессорной техники для обработки информационных сигналов и силовых полупроводниковых приборов для преобразования электрической энергии.

Электроника имеет короткую, но богатую событиями историю, которая составляет чуть более 100 лет. Первый период связан с эпохой вакуумных ламп и с появлением чуть позже ионных приборов. На этой основе были разработаны электронные устройства, а затем долгие голы совершенствовались.

Основным показателем совершенства электронной аппаратуры является плотность упаковки, т. Е. количество элементов схемы в 1 см³ действующего устройства. Если основным элементом электронного устройства являются лампы, то можно достигнуть плотности 0,3 эл/см³ .

Создание в конце 40-х годов первых полупроводниковых элементов (диодов и транзисторов) привело к появлению нового принципа конструирования электронной аппаратуры – модульного. Основой при этом является элементарная ячейка-модуль, стандартный по размеру, способам сборки и монтажа. При этом плотность упаковки возросла до 2,5 эл/см³ .

Дальнейшее совершенствование полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов и других элементов, уменьшение их размеров привели к созданию микромодулей. Плотность упаковки при этом превышала

10 эл/см³ . Микромодули завершили десятилетнюю эпоху транзисторной электроники привели к возникновению интегральной электроники и микроэлектроники.

Технология изготовления интегральных схем позволила резко повысить плотность упаковки, доведя ее до тычяч элементов в 1 см³ .

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--