Реферат: Расчет униполярного транзистора
- удельная емкость, обусловленная существованием области пространственного заряда.
(2.4)
- емкость обусловленная оксидным слоем.
Эквивалентную схему МОП-структуры можно представить в виде двух последовательно соединенных конденсатора:
Рисунок 2.1 – Эквивалентная схема МОП-структуры
Таблица 2.1 – Зависимость емкости от напряжения на затворе
| UЗ [B] | С [Ф] |
| 0.01 0.05 0.1 0.2 0.22 0.26 0.3 0.32 0.36 0.4 0.42 0.46 | 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 3.182e-5 |
Рисунок 2.2 – График зависимости емкости от приложенного напряжения на затворе
Рисунок 2.3 – Отношение С/С0 как функция напряжения, приложенного к затвору
3 Вольт-амперные характеристики
3.1 Стоковые характеристики
Формула описывающая вольт-амперную характеристику имеет вид:
(3.1)
где
(3.2)
- пороговое напряжение
(3.3)
(3.4)
- напряжение Ферми
(3.5)
- плотность заряда в обедненной области
Таблица 3.1 – Таблица значений токов и напряжений стоковой характеристики
| UC [B] | UЗ = 9 | UЗ = 10 | UЗ = 11 | UЗ = 12 | UЗ = 13 |
| IC [A] | |||||
|
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 |
0.000 К-во Просмотров: 443
Бесплатно скачать Реферат: Расчет униполярного транзистора
|