Реферат: Расчет униполярного транзистора

Напряжение насыщение описывается формулой:

(4.2)

где:

(4.3)

- толщина обедненного слоя.

Таблица 4.1 – Таблица данных напряжения стока и напряжения насыщения

UЗ	UНАС	UОТ
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5	0.92 1.59 2.45 3.50 4.730 6.14 7.7411 9.5 11.4890 13.63 15.973	0.2387 0.410 0.62 0.8911 1.2 1.55 1.9583 2.4063 2.9 3.4 4.0

Рисунок 4.1 – График зависимости напряжения насыщения от напряжения на затворе

Рисунок 4.2 – График зависимости напряжения отсечки от напряжения на затворе
5 Крутизна стокозатворной характеристики и проводимость канала

5.1 Крутизна стокозатворной характеристики описывается выражением:

(5.1)

где:

(5.2)

5.2 Проводимость канала:

(5.3)

6 Максимальная рабочая частота транзистора

Максимальная рабочая частота при определенном напряжении стока описывается формулой:

(6.1)

Таблица 6.1 – Таблица значений частоты при фиксированном напряжении стока

Uc	fmax
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13	0.000 8.041e6 1.608e7 2.412e7 3.217e7 4.021e7 4.825e7 5.629e7 6.433e7 7.237e7 8.041e7 8.846e7 9.650e7 1.045e8

Рисунок 6.1 – График зависимости частоты транзистора от напряжения на стоке.

Список использованной литературы

1 Л. Росадо «ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА» М.-«Высшая школа» 1991 – 351 с.: ил.

2 И.П. Степаненко «ОСНОВЫ ТЕОРИИ ТРАНЗИСТОРОВ И ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМ», изд. 3-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1973. 608 с. с ил.