Реферат: Разработка и расчет двухкаскадного усилителя с релейным выходом

Минимальный статический коэффициент передачи тока транзистора VT2 учитывая режим работы, определим как

h21E.min2 = 50*0.7*0.6=21

Ток в цепи базы VT2 на границе насыщения

IB2 = IK.нас. / h21E.min2 =0.0334/21=0.0016 A.

Ток в цепи базы в режиме насыщения, принимая коэффициент насыщения равным 1.2

IB.нас2. =1.2* IB2 =1.2*0.0016=0.0019 А.

Если транзистор VT2 в режиме насыщения, то VT1 в режиме отсечки. По резистору R2 проходит ток базы VT2 и обратный ток коллектора VT1

IR2 =IB.нас2. + IKB0.1=0.0016 + 0.00000001 ≈ 0.0016 A.

Сопротивление резистора R2

R2 = (EK – UBE.нас2. – UVD2) / IR2 =(12-1-0.8)/0.0016=6375 Ом

Определим максимальную мощность на R2

PR2 = ER.max. / R2 =14.4/ 6375=0.0325 Вт.

Выбираем резистор R2 МЛТ-0.125 6.2 кОм ± 5%

Напряжение между базой и эмиттером транзистора, необходимое для создания режима отсечки

UBE0 ≥ φθ ln(1+h21E)=θ / 11600 * ln(1+ h21E)

Где φθ – температурный потенциал, θ – максимальная температура К. Принимая статический коэффициент передачи тока максимальным, находим

h21E.max =220*1.2=264

и подставляя получим

UBE0 = 343/11600*ln265≈0.1649 V.

Определим максимальное напряжение между базой и эмиттером транзистора VT2 в режиме отсечки.

На основании второго закона Кирхгофа можно записать:

UBE0 – UVD2 + UKEнас1 =1

Откуда

UBE2 = UVD2 - UKEнас1 =0.5-0.2=0.3 V.

Следовательно транзистор VT2 будет в режиме отсечки, так как напряжение на его базе, рассчитанное при минимальном напряжении на VD2, положительно относительно эмиттера и больше, чем рассчитанное UBE0.

Ток в цепи коллектора транзистора VT1 в режиме насыщения

IK.нас1=(EK – UKЕ.нас1)/R2=(12-0.2)/6300=0.0019 A.

Минимальный статический коэффициент передачи тока транзистора VT1 учитывая величину тока в цепи эмиттера и то, что

h21E.рас. = h21Э Кс КТ