Реферат: Разработка макета системы персонального вызова

Магниторезисторы обладают довольно большой чувствитель­ностью. Она лежит в пределах от 10Е-13 до 10Е-4 А/м. Наиболь­шей чувствительностью обладают магниторезисторы изготовленные из InSb-NiSb.

1.2.7. Магнитодиоды.

Магнитодиод представляет собой полупроводниковый прибор с p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между которыми на­ходится область высокоомного полупроводника. Структура и ти­пичная ВАХ "торцевого" магнитодиода приведена на рис. 1.9.

Действие прибора основано на магнитодиодном эффекте. В "длинных" диодах (d/L >> 1, где d - длина базы, L - эффективн­ная длина дифузионного смещения ) распределение носителей, а следовательно сопротивление диода (базы) определяется длиной L Уменьшение L вызывает понижение концентрации неравновесных носителей в базе, т. е. повышение ее сопротивления. Это вызы­вает увеличение падения напряжения на базе и уменьшение на p-n переходе (при U=const). Уменьшение падения напряжения на p-n переходе вызывает снижение инжекционного тока и следовательно дальнейшее увеличение сопротивление базы. Длину L можно изме­нять воздействуя на диод магнитным полем. Оно приводит к зак­ручиванию движущихся носителей и их подвижность уменьшается, следовательно уменьшается и L. Одновременно удлиняются линии тока, т. е. эффективная толщина базы растет. Это и есть магни­тодиодный эффект.

Нашей промышленностью выпускается несколько типов магнито­диодов. Их чувствительность лежит в пределах 10Е-9 до 10Е-2 А/м. Существуют также магнитодиоды способные определять не только напряженность магнитного поля но и его направление.

1.2.8. Магнитотранзисторы.

Существует множество типов магнитотранзисторов. Они могут быть и биполярными, и полевыми, и однопереходными. Но наиболь­шей чувствительностью обладают двухколекторные магнитотран­зисторы (ДМТ). Структурная схема и способ включения ДМТ пока­заны на рис. 1.10.

ДМТ - это четырех электродные полуроводниковые приборы планарной или торцевой топологии. Инжектирующий контакт, эмит­тер, расположен между симметричными коллекторами. Четвертый контакт - базовый. Магнитное поле в зависимости от направления отклоняет инжектированные носители к одному из коллекторов и изменяет распределение токов между коллекторами. Разность то­ков коллекторов и определяет величину измеряемого магнитного поля. Она пропорциональна индукции магнитного поля, а знак по­казывает его направление. В области слабых полей ДМТ обладает очень высокой магниточувствительностью и хорошей линейностью ампер-тесловой характеристики. Они используются в аппаратуре требующей измерения индукции и знака магнитного поля, напри­мер, в магнитных компасах. В основном используются кремний и германий. Чувствительность магнитотранзисторов лежит в преде­лах 10Е-8 до 10Е-4 А/м.

1.2.9. Датчик на эффекте Холла.

Рассмотрим пластину полупроводника р-типа через которую протекает ток, направленный перпендикулярно внешнему магнитно­му полю. Сила Лоренца отклоняет дырки к верхней грани пласти­ны, в следствии чего их концентрация там увеличивается, а у нижней грани уменьшается. В результате пространственного раз­деления зарядов возникает электрическое поле, направленное от верхней грани к нижней. Это поле препятствует разделению заря­дов и, как только создаваемая им сила станет равной силе Ло­ренца, дальнейшее разделение зарядов прекратится (рис. 1.11).

Разность потенциалов между верхней и нижней гранями образ­ца равна :

V = E*a = v*B*a,

где а - ширина образца в направлении протекания тока, B - напряженность магнитного поля, v - скорость носителей. Наибо­лее существенное достоинство датчика Холла при измерении им напряженности магнитного поля - это линейность измеряемого напряжения от индукции магнитного поля. Датчики работают в ди­апазоне от 10Е-5 до 1 А/м.

Датчики Холла изготавливают либо из тонких полупроводнико­вых пластин, либо из напыленных тонких пленок. Для изготовле­ния используются полупроводники с высокой подвижностью носите­лей заряда.

1.2.10. Волоконно-оптический магнитомер. Волоконно-оптический магнитомер (ВОМ) представляет собой

новый вид датчика, который находится еще в процессе разработ­ки. В нем используются два стекловолоконных световода, образу­ющих интерферометр Маха-Цандера. Луч лазера проходит через светоделитель в оба волокна и рекомбинирует в сумматоре, поступая затем на фотодетектор в конце каждого волокна. Один из световодов либо намотан на магнитострикционный материал, либо покрыт им. Размеры магнитострикционного материала зависят от степени его намагничености. Когда такой материал намагничи­вается внешним полем, длина волокна изменяется. При изменении (на долю длины волны) луч, проходящий через световод, приходит в сумматор со сдвигом по фазе относительно луча, проходящему по эталонному световоду. Интенференция двух световых волн вы­зывает изменение уровня света на фотодетекторах, величина ко­торого равна разности фаз.

ВОМ имеет чувствительность от 10Е-15 до 10Е-5 А/м. Он мо­жет использоваться для обнаружения либо постоянных полей, либо полей, меняющихся с частотой до 60 КГц. Его размеры зависят от требуемой чувствительности, но обычно он имеет около 10 см в длину и 2.5 см в ширину. Большим недостатком является сильные шумы и чувствительность к вибрациям. Конструкция ВОМ показана на рис. 1.12.

1.2.11. Магнито-оптический датчик.

В магнито-оптическом датчике (МОД) используется эффект от­крытый Фарадеем. Этот эффект заключается во вращении плоскости поляризационного света при прохождении через магнитный матери­ал. Эффект максимально выражен в некоторых кристаллах при юстировке направления распространения света, оси кристалла и приложенного магнитного поля. Примем, что плоская волна поля­ризационного света составлена из двух волн с круговой поляри­зацией - правополяризованной (ПП) и левополяризован ной (ЛП). Вращение плоскости поляризации плоской волны происходит за счет изменения относительных фаз ПП и ЛП волн. Тогда эффект Фарадея является результатом изменения показателя преломления кристалла, зависящего от того, происходит ли прецессия элект­ронов в кристалле относительно продольного магнитного поля в том же самом или в противоположном направлении, что и вращение электрического поля света с круговой поляризацией.Коэффициен­том, определяющем степень эффективности материала, является постоянная Верде, имеющая размерность единиц углового вращения на единицу приложенного поля и на единицу длины.

Важным преимуществом этих датчиков являются их очень малая инерционность и широкая полоса частот на которых они работают. Были изготовлены датчики с гигагерцовой частотной характе­ристикой. Нижний предел чувствительности датчиков равен 10Е-6 А/м . Конструкция МОД показана на рис. 1.13.

1.2.12. Выводы.

Рассмотpим условия которым должны удовлетворять датчики магнитного поля пpименяемые в системе пеpсонального вызова с индуктивной связью.

Во-пеpвых, датчик должен обладать достаточной чувствитель­ностью к магнитному полю, чтобы быть способным пpинять слабые сигналы вызова. В таблице 1.1 пpиведены пpимеpные диапазоны чувствительности пpиведенных pанее датчиков. По этому паpаметpу можно исключить из pассмотpения следующие мало­чувствительные датчики: Холла, магнитооптический, магнитодиод, магнитотpанзистоp.

Во-втоpых, датчик магнитного поля должен обладать малыми pазмеpами, нечувствительностью к внешним воздействиям и малой потpкбляемой мощностью. По этим пpизнакам исключаются датчики:

1) СКВИД, так как тpебует охлаждения жидким гелием, что невозможно в пеpсональном пpиемнике;

2) с оптической накачкой - тpебует мощного питания;

3) ядеpно-пpецессионный - большая потpебляемая мощность;

4) волоконно-оптический - сильно чувствителен к вибpации и механическим воздействиям;

5) с насыщенным сеpдечником - низкая чувствительность к пеpеменным магнитным полям.

В итоге остается два типа магнитных датчиков : индукцион­ный и магнитоpезистивный. Taк как магнитоpезистоpы остаются все еще довольно дефицитным полупpоводниковым пpибоpом и пpиобpести их для пpоведения исследований не пpедставляется возможным, то в дальнейшем в макете СПИВ используется только индукционный датчик магнитного поля.