Реферат: Разработки функциональной схемы и определение ее быстродействия

│ Uвх= -1.3 В Iвх= 1.019 мкА Uвых(пр)= -1.73 В Uвых(инв)= -0.81 В │

│ Uвх= -1.2 В Iвх= 29.167 мкА Uвых(пр)= -1.27 В Uвых(инв)= -1.22 В │

│ Uвх= -1.1 В Iвх= 58.921 мкА Uвых(пр)= -0.82 В Uвых(инв)= -1.64 В │

│ Uвх= -1.0 В Iвх= 61.646 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.68 В │

│ Uвх= -0.9 В Iвх= 63.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.71 В │

│ Uвх= -0.8 В Iвх= 65.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.73 В │

│ Uвх= -0.7 В Iвх= 66.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.75 В │

│ Uвх= -0.6 В Iвх= 68.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.78 В │

│ Uвх= -0.5 В Iвх= 70.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.80 В │

│ Uвх= -0.4 В Iвх= 71.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.83 В │

│ Uвх= -0.3 В Iвх= 73.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.85 В │

│ Uвх= -0.2 В Iвх= 75.000 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.87 В │

│ Uвх= -0.1 В Iвх= 76.667 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.90 В │

│ Uвх= 0.0 В Iвх= 78.333 мкА Uвых(пр)= -0.80 В Uвых(инв)= -1.92 В │

╞═══════════════════════════════════════════════════════════════════╡

│ Iвх нас= 2.246 мА │

└───────────────────────────────────────────────────────────────────┘

3.2. РАСЧЕТ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БАЗОВОГО ЭЛЕМЕНТА

На положительном фронте при активно-емкостной нагрузке наблюда-

ется колебательный режим. Чем больше Cн , тем этот процесс наиболее

выражен ,также наблюдается наибольший выброс и время установления

tф(+) открытого транзистора.

На tф(-),соответствующему фронту запирания транзистора характер

переходного процесса может измениться, в зависимости от того закрыва-

ется или нет ЭП . Если ЭП не закрыт на tф(-),то характер процесса

повторяется как для tф(+) (колебательный режим). Если tф(-) ЭП закрыт

, то характер переходного процесса резко нарушается и имеет вид эк-

споненциальной функции разряда Cн на Rн.

Характер процесса можно определить по следующим формулам :